| 1 |
|
Границы зерен в чистых материалах / Ч. В. Копецкий, А. Н. Орлов, Л. К. Фионова ; отв. ред. Л. Г. Орлов; АН СССР, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. — М.: Наука, 1987. — 158 с.: ил. — Библиогр.: с. 150-156. — 2.30.
|
| 2 |
|
Рекристаллизация металлических материалов: научное издание / под ред. Ф. Хесснера, пер. с англ. С. Н. Вальковского, Б. Б. Страумала, В. Е. Фрадкова под ред. Ч. В. Копецкого. — М.: Металлургия, 1982. — 352 с. — Библиогр.: с. 332-352. — 4.10.
Книга посвящена одному из наиболее быстро развивающихся разделов современного физического металловедения. Наряду с механизмами явлений, происходящих при рекристаллизации, обсуждаются конкретные примеры технологических процессов. Обзор результатов, полученных в этой области со времени выхода книги за рубежом, приводится в послесловии. Для книги характерно ясное изложение материала, широта рассматриваемых проблем. детальное обсуждение нерешенных вопросов. Книга рассчитана на научных работников, занятых в области металловедения, металлофизики, физики твердого тела. Может быть полезна аспирантам и студентам-старшекурсникам, делающим первые шаги в науке.
|
| 3 |
|
Диффузия по границам зерен и фаз / И. Каур, В. Густ ; пер. с англ. Б. Б. Страумала, под ред. Л. С. Швиндлермана. — М.: Машиностроение, 1991. — 446 с.: ил. — ISBN 5-217-01296-X: 5.70.
|
| 4 |
|
Моделирование атомной структуры дефектов в кристаллах: монография / Л. Е. Карькина, Л. И. Яковенкова ; отв. ред. Е. П. Романов, рец.: В. В. Попов, В. Г. Мазуренко; Институт физики металлов УрО РАН (Екатеринбург). — Екатеринбург: УрО РАН, 2011. — 462 с.: ил.; 21 см. — (Научно-образовательная серия "Физика конденсированных сред"). — Библиогр.: с. 446-459. — ISBN 978-5-7691-2236-1: 360.00.
Книга посвящена одному из современных методов исследований в материаловедении - моделированию атомной структуры дефектов. Включает в себя методически последовательное изложение взаимосвязанных разделов в физике реальных кристаллов, таких как структура и энергия точечных и планарных дефектов, структура ядра дислокаций, компьютерное моделирование взаимодействия дефектов, динамические процессы радиационных повреждений в металлах и сплавах; атомистические расчеты структуры основного состояния микрокластеров и кинетики их превращений и др. Перечисленные разделы являются достаточно устоявшимися направлениями в физике реальных кристаллов и ведены в курсы лекций для студентов физико-технического и металлургического факультетов УрФУ. Большое внимание уделяется связи результатов атомистических расчетов с особенностями поведения реальных металлов и сплавов при деформации, разрушении, радиационном повреждении, фазово-структурных превращениях. Систематизирован богатый литературный материал и результаты работы авторов по изучению дислокационной структуры, особенностей деформации и разрушения монокристаллического Ti3Al. Книга адресована научным работникам, магистрам, аспирантам и студентам старших курсов физико-технических специальностей, а также изучающим дефекты и их влияние на свойства твердых тел.
|
| 5 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1979. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40.
|
| 6 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1979. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
|
| 7 |
|
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 8 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1981. — 160 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|
| 9 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1980. — 163 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
|
| 10 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1980. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|