Кумуляция и неустойчивость — сборник научных статей выдающегося ученого в области ядерной физики академика Евгения Ивановича Забабахина (1917—1984). В него вошли 12 открытых статей, отражающих как его научно-производственные интересы, так и интересы ученого-романтика, и представляющих собой лишь малую часть его научного наследия. Некоторые статьи, вошедшие в сборник, написаны в соавторстве с учеными РФЯЦ-ВНИИТФ — В.А. Симоненко, Б.П. Мордвиновым, М.Н. Нечаевым и с сыновьями — И.Е. Забабахиным и Н.Е. Забабахиным. Издание книги приурочено к традиционной Международной конференции "Забабахинские Научные Чтения", проведение которой намечено на сентябрь 1998 года в г. Снежинске Челябинской области. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, а также аспирантов и студентов ВУЗов старших курсов, специализирующихся в области газодинамики и физики взрыва.

Сборник содержит результаты теоретического изучения нескольких типов газодинамической кумуляции и исследований, в том числе экспериментальных, по проблеме взрывного выброса грунта. Читатель познакомится с набором эффективных способов упрощенного рассмотрения разных задач динамики сплошной среды.

Сборник содержит тексты докладов XVI Международной конференции "Физика прочности и пластичности материалов". Статьи в полном объеме отражают тематику конференции и содержат результаты по актуальным проблемам физики пластической деформации и разрушения материалов, создания перспективных материалов, разработки научных основ и технологий повышения и прогнозирования работоспособности материалов и изделий. Значительная часть работ посвящена методам измерений.

Сборник содержит тексты докладов XVI Международной конференции "Физика прочности и пластичности материалов". Статьи в полном объеме отражают тематику конференции и содержат результаты по актуальным проблемам физики пластической деформации и разрушения материалов, создания перспективных материалов, разработки научных основ и технологий повышения и прогнозирования работоспособности материалов и изделий. Значительная часть работ посвящена методам измерений.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.

В книге содержится систематическое изложение математического аппарата и физических аспектов специальной теории относительности. В ней подробнее, чем в ранее опубликованных монографиях, рассмотрены такие вопросы, как интегральные теоремы и интегральные преобразования, релятивистская кинетическая теория, вариационные принципы и др. Для инженеров, научных работников, студентов и преподавателей физико-математических и технических факультетов вузов. Может использоваться в качестве самодостаточного пособия для самостоятельного изучения современной теории физических явлений.

Излагаются основные понятия физики плазмы и простейшие инженерные расчеты. Подробно рассматриваются термодинамические свойства плазмы; равновесная и стационарная ионизация; адиабатическое и дрейфовое движение заряженных частиц; элементарная гидродинамическая теория распространения волн в холодной и горячей плазме; простейшие вопросы физической кинетики и ее применения к плазме. Книга рассчитана на студентов физических и технических специальностей и инженеров, имеющих дело с многообразными приложениями физики плазмы.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.