| 21 |
|
Квантовый транспорт : от атома к транзистору / С. Датта; пер. с англ. Д. В. Хомицкого; под ред. В. Я. Демиховского. — М.; Ижевск: Институт компьютерных исследований: Регулярная и хаотическая динамика, 2009. — 531 ил. — Библиогр.: с. 524-527. — ISBN 978-5-93972-744-0: 150.00.
Книга С. Датта, автора известных работ в области нанофизики и наноэлектроники, посвящена проблемам электронного транспорта в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Последовательно рассматриваются различные квантовые системы, от атома водорода до нанотранзистора. Излагаются наиболее общие понятия и методы неравновесной статистической механики и кинетики, и при этом не предполагается первоначальное знакомство читателя с квантовой механикой. В книге приведено большое количество численных примеров, а также программ в пакете MATLAB для проведения расчетов квантовых состояний и транспорта в объемных полупроводниках и низкоразмерных структурах. Дополнения к данному изданию в форме видеолекций, посвященных ключевым результатам книги, содержатся на Интернет-сайте автора. Книга рассчитана на научных работников, инженеров, студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния и наноэлектроники.
|
| 22 |
|
Металлические стекла / под ред. Г. Бека, Г. -Й. Гюнтеродта, пер. с англ. под ред. В. А. Алексеева, Е. Г. Максимова. — М.; : Мир.
: Атомная структура и динамика, электронная структура, магнитные свойства / Г. Бек [и др.]. — М.: Мир, 1986. — 454 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 4.90.
|
| 23 |
|
Физика твердого тела / Н. Ашкрофт, Н. Мермин ; пер. с англ. К. И. Кугеля, А. С. Михайлова, под ред. М. И. Каганова. — М.; : Мир.
:. — М.: Мир, 1979. — 422, [2] с.: ил. — 2.90.
|
| 24 |
|
Украинский физический журнал [Текст] / Институт физики АН УССР. — 1956-. — Киев: Наукова думка, 1956-. — Периодичность: 12 в год (ежемесячно). — ISSN 0503-1265. |
| 25 |
|
Физика электронной проводимости в твердых телах / Ф. Блатт ; пер. с англ. Г. Л. Краско, Р. А. Суриса. — М.: Мир, 1971. — 470 с.: ил. — Парал. тит. лист англ. — 2.22.
|
| 26 |
|
Эффект малых доз ионизирующего излучения: научное издание / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов; Томский политехнический университет (Томск). — 2-е изд., перераб. и доп. — Томск: Дельтаплан, 2009. — 288 с.: ил. — Изд. осуществлено при финансовой поддержке РФФИ по проекту №09-08-07078; В монографии используются и развиваются оригинальные результаты, полученные при выполнении работ по гранту РФФИ (проект 93-02-02118). — Библиогр.: с. 270-282. — ISBN 978-5-94154-153-9: 240.00.
Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.
|
| 27 |
|
Введение в физику полупроводников: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Технология спец. материалов электронной техники" / В. И. Фистуль. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1984. — 352 с.: ил. — Алф. указ.: с. 343-345. — Библиогр.: с. 346-348. — 1.10.
|
| 28 |
|
Физика твердого тела / Д. Блейкмор ; пер с англ. под ред. Д. Г. Андрианова, В. И. Фистуля. — М.: Мир, 1988. — 608 с.: ил. — Предм. указ.: с. 599-606. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-001256-7: 3.00.
|
| 29 |
|
Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В. Н. Овсюк ; отв. ред. А. В. Ржанов; СО АН СССР, Институт физики полупроводников. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. — 253 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-253. — 3.00.
В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.
|
| 30 |
|
Резонансное взаимодействие электромагнитных полей с полупроводниками / В. М. Галицкий, В. Ф. Елесин. — М.: Энергоатомиздат, 1986. — 192 с.: ил. — Библиогр.: с. 183-189. — 2.40.
|