| 71 |
|
Применение лазеров в атомной, молекулярной и ядерной физике: Труды I Всесоюзной школы г. Вильнюс, 21-31 августа 1978 г. / АН СССР, Институт спектроскопии. — М.: Наука, 1979. — 468 с.: ил. — 5.08.
|
| 72 |
|
Современные инжекционные лазеры: монография / А. Е. Жуков, М. В. Максимов; С.-Петерб. физ.-технол. науч.-образоват. центр РАН. — СПб.: Издательство Политехнического университета, 2009. — 275, [1] с.: ил.; 21 см. — ISBN 978-5-7422-2406-8: 462.00.
Систематизированы физические принципы функционирования и особенности приборных характеристик современных полупроводниковых лазеров, использующих в качестве активной области полупроводниковые наноструктуры — квантовые ямы и массивы квантовых точек, затронуты технологические аспекты изготовления подобных лазеров, обобщены основные экспериментальные результаты в этой области. Издание адресовано студентам магистратуры технических вузов и аспирантам научных специальностей, связанных с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами, гетероструктурами и приборами на их основе.
|
| 73 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1981. — 112 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.60.
|
| 74 |
|
Применение лазеров в атомной, молекулярной и ядерной физике: труды II всесоюз. шк., Вильнюс, 29 июня - 7 июля 1981 г. / АН СССР, Институт спектроскопии. — М.: Наука, 1983. — 320 с.: ил. — 2.00.
|
| 75 |
|
Исследование плазмы активных сред непрерывных электроразрядных молекулярных инфракрасных лазеров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. Н. Очкин ; офиц. оппоненты: В. А. Фабрикант, Б. И. Степанов, А. А. Рухадзе; Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.). — М., 1980. — 41 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-41.
|
| 76 |
|
Введение в физику лазеров / А. Мэйтлэнд, М. Данн ; пер. с англ. В. А. Батанова ; под ред. С. И. Анисимова. — М.: Наука, 1978. — 408 с.: ил. — Предм. указ.: с. 403-407. — Библиогр.: с. 398-402.
|
| 77 |
|
Спектроскопия газоразрядной плазмы : сб. ст. — Л.;.
:. — Л., 1976. — 164 с.: ил. — 0.89.
|
| 78 |
|
Труды V-й Международной конференции, 20-22 сентября 1989 г., Байкал, СССР / АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт теплофизики. — Новосибирск: Институт теплофизики, 1990. — 382 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 2.50.
|
| 79 |
|
Физические основы создания и применения сплошных протяженных лазерных искр: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Л. Я. Полонский ; офиц. оппоненты: Э. И. Асиновский, Н. Г. Ковальский, А. С. Шиканов; Институт высоких температур АН СССР, Институт общей физики АН СССР. — М., 1990. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-27.
|
| 80 |
|
Лазеры на самоограниченных переходах атомов металлов-2 : в 2-х т. / В. М. Батенин [и др.] ; под общ. ред. В. М. Батенина. — М.; : Физматлит.
:. — М.: Физматлит, 2011. — 616 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-9221-1298-7: 137.00.
Во втором томе книги рассмотрены лазеры на парах металлов и их химических соединений (галогенидов). Приводятся результаты исследований по генерации импульсов излучения с высокими частотами следования. Обсуждается физика лазеров, возбуждаемых пучками электронов, генерируемых открытым разрядом. Уделено внимание описанию и улучшению физических характеристик индуцированного излучения. Излагается способ повышения пиковой мощности импульсов излучения с использованием многопроходных усилителей. Представлены результаты работ по преобразованию излучения усилителей и лазеров на парах меди в ультрафиолетовое излучение. Особое место в книге занимает рассмотрение физических основ для перевода импульсного режима генерации лазеров на самоограниченных переходах в непрерывный и квазинепрерывный режимы различными способами. В приложении даны сведения о лазерах, собран материал, необходимый для расчета констант элементарных процессов и оценки реабсорбции спонтанного излучения в плазме. Книга адресована научным сотрудникам, инженерам, аспирантам и студентам высших учебных заведений.
|