Известия высших учебных заведений [Текст] : научно-технический журнал / Ивановский гос. химико-технол. ун-т. — 1958-. — Иваново: Издание Ивановского гос. химико-техн. ун-та, 1958-. — Периодичность: 6 в год (раз в два месяца). — Схема доступа: http://main.isuct.ru/ru/journal. — ISSN 0579-2991.

Исследование фотоэлектрических и оптических свойств галогенидных кристаллов из систем Cd-(As)-Hal: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Черешня ; науч. рук.: А. А. Кикинеши, Д. Г. Семак, офиц. оппоненты: А. Б. Лыскович, Е. И. Герзанич; Ужгородской государственный университет, Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, Химический факультет. — Ужгород, 1988. — 16 с. — На правах рукописи.

Известия высших учебных заведений [Текст]. — 1997-. — Тюмень: Тюменский государственный нефтегазовый университет, 1997-. — Периодичность: 6 в год (раз в два месяца). — ISSN 0445-0108.

Нефть и капитал: аналитический журнал / ЗАО Издательский дом "Нефть и капитал". — 1995-. — М.: Нефть и капитал, 1995-. — Периодичность: 12 в год (ежемесячно). — ISSN 1561-8838.

Петербургский журнал электроники / Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт"; Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт". — 1993-. — СПб.: Электронстандарт, 1993-. — Периодичность: 4 в год (ежеквартально).

Изобретатель и рационализатор: независимый журнал изобретателей и рационализаторов. — 1929-. — М.: Ред. журн., 1929-. — Периодичность: 12 в год (ежемесячно). — ISSN 0130-1802.

Нефть. Газ. Новации: научно-технический журнал. — 1999-. — Самара, 1999-. — Периодичность: 12 в год (ежемесячно). — Схема доступа: http://neft-gaz-novacii.ru/. — ISSN 2077-5423.

Журнал физической химии / Рос. акад. наук, Отд-ние химии и наук о материалах РАН. — 1930-. — М.: Наука, 1930-. — Периодичность: 12 в год (ежемесячно). — ISSN 0044-4537.

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.