Электрическая прочность жидкого гелия в импульсных и СВЧ полях: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / В. В. Барабошкин ; науч. рук. А. Н. Диденко, офиц. оппоненты: Ю. И. Бычков, В. М. Муратов; Томский политехнический ин-т им. С. М. Кирова, Гос. энергетический ин-т им. Г. М. Кржижановского. — Томск, 1984. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Мощные первичные накопители с временем вывода энергии менее 1 МКС: дис. ... д-ра техн. наук в виде научного доклада : 01.04.13 / А. А. Ким ; офиц. оппоненты: Ф. Г. Рутберг, С. Н. Рукин, Н. А. Ратахин; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — Томск, 2001. — 59 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 58-59.

Получение протяженных плазменных образований в газе с помощью лазера и использование их для запуска разрядников: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / В. В. Устюжин ; науч. рук. В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: Ю. Ф. Поталицын, В. И. Цветков; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Харьковский политехнический институт им. В. И. Ленина (Харьков). — Томск, 1987. — 22 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-20.

Исследование и разработка источников коротковолнового ультрафиолетового излучения микросекундного диапазона на основе трубчатых ксеноновых ламп: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / В. Ю. Коробочко ; науч. рук. П. Н. Дашук, науч. конс. С. Л. Кулаков, офиц. оппоненты: В. А. Бурцев, С. В. Лукашенко; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова (СПб.). — СПб., 1997. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Рентгеновский комплекс с цифровой системой визуализации: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / С. В. Щербинин ; науч. рук. А. Л. Филатов, офиц. оппоненты: М. И. Яландин, В. Л. Кузнецов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург). — Екатеринбург, 2001. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Системы импульсного электропитания и возбуждение на их основе диффузного разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Г. Лай ; науч. рук. Э. Я. Школьников, офиц. оппоненты: Н. П. Собенин, А. Н. Грибов; Московский инженерно-физический институт (государственный университет) (М.), Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.). — М., 2004. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Полупроводниковые генераторы с импульсной мощностью 10.8-10.9 Вт на основе субнаносекундных коммутаторов тока: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / С. К. Любутин ; науч. рук. С. Н. Рукин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, Г. Е. Ремнев; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Екатеринбург, 2004. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-27.

Исследование режимов систем энергопитания и генераторов плазмы переменного тока в диапазоне мощностей от 5 до 500 кВт: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / С. Д. Попов ; науч. рук. А. А. Сафронов, офиц. оппоненты: Э. Г. Кашарский, С. И. Кривошеев; Институт электрофизики и электроэнергетики РАН (СПб.), Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб., 2005. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Конденсаторно-коммутаторные сборки с субмикросекундными временами вывода энергии для компактных сильноточных импульсных генераторов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / И. В. Лавринович ; науч. рук Н. А. Ратахин, офиц. оппоненты: Н. Г. Ремпе, А. В. Акимов; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2016. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Исследование процессов в сильноточном разряде высокого давления, обусловленных электродными плазменными струями: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / М. Э. Пинчук ; науч. рук. А. А. Богомаз, офиц. оппоненты: С. В. Бобашев, А. А. Сафронов; Институт проблем электрофизики РАН (СПб.), Санкт-Петербургский государственный университет (СПб.), Институт электрофизики и электроэнергетики РАН (СПб.). — СПб., 2004. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.