Механизм, кинетика образования и выращивание нелинейных кристаллов для оптоэлектроники: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07, 02.00.04 / Б. И. Кидяров ; оппоненты: В. В. Баковец, А. Н. Черепанов, А. И. Непомнящих; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород). — Новосибирск, 2011. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-40.

Эрозия поверхности твердого тела под действием мощных пучков заряженных частиц: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. А. Блейхер; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-40.

Генерация однородной газоразрядной плазмы в несамостоятельном разряде низкого давления для модификации поверхности материалов и изделий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / Д. П. Борисов ; науч. рук. Н. Н. Коваль, офиц. оппоненты: И. Б. Степанов, Л. М. Петров; Нац. исслед. Томский гос. ун-т, Моск. гос. технологический ун-т "Станкин", Томский гос. ун-т систем управл. и радиоэлектроники. — Томск, 2015. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Структурные особенности и свойства азотсодержащих тонких пленок диоксида титана, сформированных методом реактивного магнетронного распыления, для применения в медицине : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Пустовалова ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты : Л. Л. Мейснер, А. А. Клопотов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Свойства нанодисперсного порошка триоксида вольфрама и его плазмохимический синтез при атмосферном давлении: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. Мартинес; науч. рук. Г. Н. Чурилов, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Ильин; Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2007. — 24 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Синтез и свойства композиционных нанодисперсных оксидов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. В. Сазонов ; науч. рук. А. И. Пушкарев, офиц. оппоненты : С. Ю. Соковнин, В. Г. Бутов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск). — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Пороговые процессы в твердых телах при взаимодействии с сильноточными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Олешко ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, Л. Б. Зуев, В. Г. Кригер; Томский политехнический университет (Томск), Томский государственный университет (Томск), Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики (Томск). — Томск, 2009. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-32.

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Радиационно-термическая активация диффузного массопереноса в оксидной керамике: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. А. Гынгазов; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-37.

Разработка ионно-пучковых методов модификации свойств алюминиевых сплавов на основе использования радиационно-динамических эффектов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. М. Можаровский ; науч. конс. В. В. Овчинников, оппоненты: Ю. П. Шаркеев, В. П. Кривобоков, А. В. Козлов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2011. — 39 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-39.