Генерация сильноточных импульсных электронных пучков форвакуумным плазменным источником на основе дугового разряда : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Казаков ; науч. рук. В. А. Бурдовицин, офиц. оппоненты: В. Л. Паперный, Ю. П. Шаркеев; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2015. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.

Плазменный источник электронов для генерации непрерывных электронных пучков в области предельных рабочих давлений форвакуумного диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. А. Зенин ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: А. С. Метель, В. П. Сергеев; Нац. исслед. Томский гос. ун-т, Иркутский гос. ун-т. — Томск, 2014. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1994. — 271 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 251-271.

Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс ; офиц. оппоненты: Ю. И. Бельченко, Ю. П. Усов, Г. М. Кассиров; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Объединенный институт ядерных исследований. — Томск, 1994. — 34 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-30.

Генерация электронных пучков в форвакуумной области давлений на основе плазменно-эмиссионных разрядных систем с полым катодом: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.04 / А. С. Климов ; науч. конс. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: А. В. Бурдаков, С. Л. Косогоров, Г. Е. Ремнев; Томский ин-т автоматизир. систем управления и радиоэлектроники, Ин-т прикладной физики РАН(Нижний Новгород). — Томск, 2016. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-32.

Параметры и характеристики пучковой плазмы, генерируемой в форвакуумной области давлений электронным источником с плазменным катодом : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Д. Б. Золотухин ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: В. Л. Паперный, В. П. Кривобоков; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2016. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Источники низкотемпературной плазмы и электронных пучков на основе дуговых разрядов низкого давления с полым анодом: дис. ... д-ра техн. наук в виде научного доклада: 05.27.02 / Н. Н. Коваль ; офиц. оппоненты: Б. М. Ковальчук, Р. А. Салимов, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2000. — 74 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 68-74.

Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Источники пучков ионов твердотельных веществ на основе вакуумно-дугового и пеннинговского разрядов для экстремальных режимов ионной имплантации: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.04 / Т. В. Кулевой ; науч. конс. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, А. А. Иванов, Г. Е. Ремнев; Ин-т теор. и эксперимент. физики им. А. И. Алиханова Нац. исслед. центра "Курчатовский институт", Ин-т прикл. физики РАН (Нижний Новгород). — Томск, 2019. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-35.

Форвакуумный плазменный источник ленточного электронного пучка для пучково-плазменной модификации диэлектриков: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 1.3.5 / В. Т. Чан ; науч. рук. А. С. Климов, офиц. оппонеты : Ю. П. Шаркеев, А. С. Каменецкий; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т физического материаловедения СО РАН (Улан-Удэ). — Томск, 2022. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.