Модернизация и исследование источника ионов металлов на основе вакуумного дугового разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / К. П. Савкин ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Ю. П. Усов, А. И. Аксенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт теоретической и экспериментальной физики им. А. И. Алиханова. — Томск, 2005. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Источники широкоапертурных пучков ионов газов и металлов на основе дугового и тлеющего разрядов при пониженном давлении: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Г. Ю. Юшков ; науч. конс. Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 343 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 320-343.

Генерация многоразрядных ионов в нестационарных условиях горения вакуумного дугового разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / А. С. Бугаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, А. В. Батраков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.

Источники пучков ионов твердотельных веществ на основе вакуумно-дугового и пеннинговского разрядов для экстремальных режимов ионной имплантации: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.04 / Т. В. Кулевой ; науч. конс. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, А. А. Иванов, Г. Е. Ремнев; Ин-т теор. и эксперимент. физики им. А. И. Алиханова Нац. исслед. центра "Курчатовский институт", Ин-т прикл. физики РАН (Нижний Новгород). — Томск, 2019. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-35.

Генерация многоразрядных ионов в нестационарных условиях горения вакуумного дугового разряда: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / А. С. Бугаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, А. В. Батраков; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2001. — 122 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 110-122.

Разработка и исследование широкоапертурных источников ионов и плазмы металлов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. И. Аксенов ; науч. рук.: Д. А. Носков, А. М. Толопа, офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Е. М. Окс; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1992. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Разработка и исследование широкоапертурных источников ионов и плазмы металлов: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. И. Аксенов ; науч. рук.: Д. А. Носков, А. М. Толопа; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 1992. — 104 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 95-104.

Генерирование широкоапертурных ионных пучков и потоков плазмы на основе тлеющего разряда с полым катодом и внешней инжекцией электронов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Н. В. Гаврилов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 2000. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Источники широкоапертурных ионных пучков на основе вакуумного дугового разряда в сильном магнитном поле: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Г. Николаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: А. И. Рябчиков, А. П. Семенов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Всероссийский электротехнический институт (М.). — Томск, 1998. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.

Генерация сильноточных импульсных электронных пучков форвакуумным плазменным источником на основе дугового разряда : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Казаков ; науч. рук. В. А. Бурдовицин, офиц. оппоненты: В. Л. Паперный, Ю. П. Шаркеев; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2015. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.