Фотоэмиссионные свойства тонких пленок антимонидов щелочных металлов, сконденсированных в условиях сверхвысокого вакуума: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / И. А. Нестеров ; науч. рук. В. М. Геллер, науч. конс. А. Б. Беркин, офиц. оппоненты: В. Н. Брудный, С. Н. Янин; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск), Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" (СПб.), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2009. — 24 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-24.

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Разработка плазменных технологий и оборудования для осаждения тонкопленочных теплоотражающих покрытий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. Д. Баинов ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : С. В. Смирнов, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-производственный центр "Полюс". — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Осаждение металлических покрытий с помощью магнетрона с жидкофазной мишенью: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. В. Юрьева ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: Н. В. Волков, С. В. Работкин; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2017. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Осаждение поликристаллических алмазных пленок в аномальном тлеющем разряде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. А. Линник ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты Б. В. Спицын, Н. С. Сочугов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. — Томск, 2013. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.

Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. В. Исмаилов ; науч. рук. А. П. Ильин, офиц. оппоненты : П. М. Плетнев, Л. П. Борило; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Юго-Западный гос. ун-т. — Томск, 2018. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.23-24.

Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Рубанов ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. М. Зыков, А. П. Коханенко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2012. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / К. Н. Орлова ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. И. Олешко, А. В. Войцеховский; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Динамика поверхностного слоя монокристаллических подложек при газоразрядном напылении пленок: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. О. Пономаренко ; науч. рук. Ш. И. Дуймакаев, науч. конс. А. П. Ковтун, оппоненты: М. Ф. Куприянов , А. Н. Павлов; Южный федеральный университет (Ростов н/Д), НИИ физики. Каф. физики твердого тела. Лаб. аналитического приборостроения, Южный научный центр РАН, Отд. проблем физики и астрономии, Воронежский государственный технический университет (Воронеж). — Ростов н/Д, 2010. — 24 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Исследование и подавление обратных связей в фотоэлектронных приборах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Р. И. Багдуев ; офиц. оппоненты: А. Г. Берковский, Л. Б. Безруков; Организация п/я А-1501, Предприятие п/я Р-6964, Научно-исследовательский институт электронных приборов. — Новосибирск, 1988. — 20 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.