Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / К. Н. Орлова ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. И. Олешко, А. В. Войцеховский; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Исследование и подавление обратных связей в фотоэлектронных приборах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Р. И. Багдуев ; офиц. оппоненты: А. Г. Берковский, Л. Б. Безруков; Организация п/я А-1501, Предприятие п/я Р-6964, Научно-исследовательский институт электронных приборов. — Новосибирск, 1988. — 20 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Электро- и энергоперенос в прикатодной области дугового разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.14 / Д. В. Мухаева ; науч. рук. Г.-Н. Б. Дандарон, офиц. оппоненты: Э. К. Урбах, Ш.-Б. Б. Батуев; Президиум Бурятского научного центра СО РАН (Улан-Удэ), Институт теоретической и прикладной механики СО РАН (Новосибирск), Восточно-Сибирский государственный технологический университет (Улан-Удэ). — Улан-Удэ, 2005. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.

Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение / П. А. Воронин. — М.: Додэка, 2001. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 375-379. — ISBN 5-94120-010-2: 144.00.

Курс электротехники и радиотехники: [учебник] / А. П. Молчанов, П. Н. Занадворов. — 4-е изд., стер. — Санкт-Петербург: БХВ-Петербург, 2011. — 597 с. — (Учебная литература для вузов). — Прил. — Библиогр.: с. 584. — ISBN 978-5-9775-0544-4: 667.00.

Миниатюризация импульсных сильноточных ускорителей электронов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / В. Г. Шпак ; офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, М. Д. Райзер, П. М. Щанин; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт электрофизики УрО АН СССР, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 1989. — 28 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-28.

Оптические и электрические исследования одноэлектродного ВЧ разряда в воздухе в диапазоне частот 0,15-1,5 МГЦ: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. И. Бесхлебный ; науч. рук.: К. Ф. Куду, А. А. Жуков, офиц. оппоненты: А. Д. Верхотуров, С. Ф. Воропаев; Хабаровский государственный педагогический университет (Хабаровск), Тартуский государственный университет (Тарту), Хабаровский государственный технический университет (Хабаровск), Дальневосточный государственный университет путей сообщения (Хабаровск). — Хабаровск, 2000. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Методы и устройства исследования взаимодействия коронного разряда с диэлектрическими барьерами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.01 / В. П. Марков ; науч. рук. В. П. Шорин, офиц. оппоненты: В. Ф. Путько, Х. Д. Ламажапов; Самарский Государственный аэрокосмический университет им. акад. С. П. Королева (Самара), Государственное унитарное предприятие КБАС (Самара). — Самара, 2001. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Процессы на поверхности в сильных электрических полях при автоэлектронной и взрывной эмиссии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. М. Жуков ; офиц. оппоненты : В. В. Кораблев, Е. А. Литвинов, Н. В. Милешкина; Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербургский государственный университет, Московский физико-технический институт. — СПб., 1995. — 34 с.: ил. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 31-34.

Модификация анодных окисных пленок для фотодиодов на монокристаллическом арсениде индия: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / П. В. Митасов ; науч. рук. И. Б. Варлашов, офиц. оппоненты: И. Д. Бурлаков, Н. В. Вишняков; Нац. исслед. ун-т "МЭИ", МИРЭА - Российский технологический ун-т. — М., 2018. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.