Теоретические и технологические основы направленного улучшения свойств поверхностных слоев изделий из инструментальных материалов посредством их ионно-вакуумной модификациии: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.03.01, 05.02.06 / И. А. Сенчило ; офиц. оппоненты: В. Л. Вейц, А. С. Верещака, Л. Н. Розанов; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Институт проблем машиноведения РАН (СПб.). — СПб., 1995. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-33.

Исследование и разработка электронно-оптических систем высоковольтных ключевых приборов с торможением электронного потока на аноде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / П. М. Стальков ; науч. рук. В. И. Переводчиков, офиц. оппоненты: М. Д. Воробьев, А. А. Лучин; Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.), ФГУП НПП "Торий". — М., 2009. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.

Научно-технические основы создания систем питания высоковольтных устройств пыле- и газоочистки на основе электронно-лучевых вентилей и газоразрядных приборов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02, 05.14.12 / А. В. Щербаков ; офиц. оппоненты : П. И. Акимов, Л. В. Чекалов, Е. И. Остапенко; Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, ЭЛЕКТРОЗАВОД. — М., 2010. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-40.

Синтез нанодисперсных пленок титаната свинца и карбида вольфрама методом импульсной фотонной обработки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. В. Сербин ; науч. рук. В. М. Иевлев, оппоненты: Г. С. Бурханов, А. Т. Косилов; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Воронежский государственный университет (Воронеж). — Воронеж, 2003. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-15.

Разработка физико-химических и технологических основ компактирования дисперсных металлических систем: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.01 / Т. К. Сокольская ; науч. рук. И. П. Арсентьева, офиц. оппоненты : Л. М. Капуткина, И. А. Гуляев; Московский вечерний металлургический институт, Научно-производственное предприятие "Темп". — М., 1995. — 25 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.

Формирование структуры, фазового состава и свойств плазменных покрытий из сплава системы Fe-Si-Al-C: дис. ... канд. техн. наук : 05.16.01 / Ж. Г. Ковалевская ; науч. рук. В. А. Клименов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2002. — 167 л.: ил. — Библиогр.: с. 147-161.

Структура и свойства поликристаллического α-Al2O3 модифицированного мощным лазерным излучением: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Е. В. Саврук ; науч. рук. С. В. Смирнов, офиц. оппоненты : С. А. Гынгазов, М. В. Гришаев; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Новосибирский государственный технический университет. — Томск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Источник широких электронных пучков на основе разряда с самонакалиевым полым катодом для азотирования сталей и сплавов: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / А. И. Меньшаков ; науч. рук. Н. В. Гаврилов; Рос. АН, Урал. отд-ние, Институт электрофизики. — Екатеринбург, 2013. — 160 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.145-160.

Разработка и исследование электроимпульсных режущих устройств для проходки щелей и траншей в горных породах и бетонах: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Ю. А. Краснятов ; науч. рук. А. А. Дульзон, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, В. И. Курец; Томский политехнический ин-т им. С. М. Кирова, Московский горный ин-т. — Томск, 1982. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Генерация однородной газоразрядной плазмы в несамостоятельном разряде низкого давления для модификации поверхности материалов и изделий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / Д. П. Борисов ; науч. рук. Н. Н. Коваль, офиц. оппоненты: И. Б. Степанов, Л. М. Петров; Нац. исслед. Томский гос. ун-т, Моск. гос. технологический ун-т "Станкин", Томский гос. ун-т систем управл. и радиоэлектроники. — Томск, 2015. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.