1161 |
|
На основе уравнений полевой теории дефектов исследована структура волн поля дефектов в вязкопластической среде. Установлен поперечный характер волн поля дефектов, характеризуемого тензором плотности и плотности потока дефектов. Найдена связь этих величин в плоской гармонической волне. Рассмотрены частные случаи сред с сильно и слабозатухающими волнами.
|
1162 |
|
Колебательные спектры и динамика ионно-ковалентных кристаллов / А. Н. Лазарев, А. П. Миргородский, М. Б. Смирнов ; отв. ред. А. Н. Лазарев, М. О. Буланин. — Л.: Наука, 1985. — 119, [2] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 115-120. — 1.20.
|
1163 |
|
Уравнение Риккати и волновые процессы / Н. Е. Цапенко. — М.: Изд-во Моск. гос. горного ун-та, 2008. — 243, [1] с.; 22 см. — Библиогр.: с. 241-242. — ISBN 978-5-98672-107-1. — ISBN 978-5-7418-0539-8: 484.00.
Изложены общие методы решения задачи Коши для обыкновенных дифференциальных уравнений первого порядка и их иллюстрация на примере уравнения Риккати. На основе трех аппроксимирующих уравнений выведены новые асимптотические решения уравнения Риккати. Получены приближенные формулы для решения линейного уравнения второго порядка, непрерывные в точках поворота. Представлено точное условие квантования и точные выражения для коэффициентов отражения и прохождения потенциального барьера. Дано общее решение граничной задачи для системы уравнений Максвелла методом интеграла Фурье. Николай Евгеньевич Цапенко - канд. физ.-мат. наук, доц. каф. высшей математики Московского гос. горного университета. Для научных работников, специализирующихся в области математической физики. Может быть полезна аспирантам и студентам старших курсов технических университетов.
|
1164 |
|
Столкновения электронов с атомами и молекулами / Г. Ф. Друкарев. — М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1978. — [255] с.: ил. — Библиогр.: с. 249-255. — 1.80.
В книге излагается современное состояние теории столкновений электронов с атомами и молекулами. Рассматривается упругое рассеяние электронов (включая поляризационные явления), возбуждение и ионизация атомов, возбуждение вращений и колебаний простых двухатомных молекул, различные виды диссоциации молекул электронами. Излагаются теоретические основы и примеры применения наиболее употребительных методов расчета эффективных сечений вышеупомянутых процессов. Главное внимание уделяется конкретным результатам теории. Книга предназначена для лиц, которым по роду работы необходимы данные об эффективных сечениях разнообразных процессов. происходящих при столкновениях электронов с атомами и молекулами. Может быть использована в качестве учебного пособия студентами старших курсов физических специальностей при изучении теории столкновений.
|
1165 |
|
Основы практической прочности кристаллов: научное издание / А. В. Степанов ; отв. ред. Г. В. Курдюмов; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР (Л.). — М.: Наука, 1974. — 132 с.: ил. — Библиогр.: с. 129-131. — 0.53.
Книга содержит оригинальные исследования, приведшие к установлению фундаментальных представлений в физике пластичности и прочности кристаллов. Они лежат в основе современного учения о механических свойства кристаллических тел. В книге выдвинуты и доказаны взгляды о том, что причиной разрушения кристаллов являются дефекты, создаваемые предшествующей этому процессу пластической деформацией. Открыты и изучены явления, определяющие возникновение и образование линий скольжения в кристаллах, обнаружен и исследован новый механизм пластического формоизменения кристаллов. Предложен метод изучения механизма пластичности путем исследования областей локальных нарушений кристалла вблизи уколов, царапин, вершин трещин и т. п. Обнаружены "прозрачные металлы" - галлоидные соединения серебра и таллия и сплавы на их основе, обладающие металлоподобными механическими свойствами атомов, их образующих . Книга будет полезна специалистам, занимающимся изучением физики кристаллов, физических процессов пластической деформации и разрушения кристаллических тел.
|
1166 |
|
Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии / В. В. Немошкаленко, В. Г. Алешин; (Киев). — Киев: Наукова Думка, 1974. — 376, [7] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 363-374. — 2.95.
|
1167 |
|
Квантовая электроника / А. Мессиа. — М.; : Наука.
:. — М.: Наука, Б.г. — 478, [2] с.: ил. — Предм. указ.: с. 473-478. — 2.30.
Книга содержит изложение общего формализма квантовой механики и его приложение к простейшим системам. Изложены история возникновения квантовой теории, волновые свойства материи и уравнение Шредингера, квантование системы в одном измерении и туннельный эффект. Большое внимание уделено статистической интерпретации дуализма волна — частица, соотношению неопределенности и принципу дополнительности. Разбирается классическое приближение и метод ВКБ для одномерных задач. Подробно излагается математический аппарат и его физическая интерпретация, различные представления, квантовая статистика. ????.
|
1168 |
|
Электронная теория активных центров микроструктурных превращений материалов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Безносюк ; оппоненты: Ю. П. Ирхин, Э. В. Козлов, В. П. Жуков; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Карагандинский государственный университет им. А. Е. Букетова (Караганда), Донецкий физико-технический институт УАН (Донецк). — Томск, 1993. — 41 с.: табл. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-41.
|
1169 |
|
Представлены результаты электронно-микроскопического исследования микроструктуры сплава Мо-47% Re-0,4% Zr после деформации прокаткой при комнатной температуре. Особое внимание уделено исследованию анизотропии формирующихся при этом микрополосовых наноструктурных состояний и высокоэнергетических дефектных субструктур с высокими значениями кривизны кристаллической решетки, плотности дисклинаций и локальных внутренних напряжений. Представлен дисклинационный механизм переориентации как механизм фрагментации внутренней структуры микрополос.
|
1170 |
|
Основы радиотехники и антенны : учеб. для радиотехнических техникумов / Г. Б. Белоцерковский. — М.; : Советское радио.
: Основы радиотехники. — М.: Советское радио, 1969. — 432 с.: ил. — Библиогр.: с. 429. — 1.05.
|