| 61 |
|
Твердотельные генераторы и преобразователи миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов: сб. науч. тр. / АН УССР, Институт радиофизики и электроники; редкол : Б. М. Булгаков (отв. ред.) [и др.]. — Харьков: ИРЭ АН УССР, 1989. — 124 с.: ил. — Библиогр. в конце работ. — 2.00. |
| 62 |
|
Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники "Полупроводниковые приборы" / Моск. ин-т электрон. техники; отв. ред. В. И. Мурыгин. — М.: МИЭТ, 1979. — 133 с.: ил. — Библиогр. в конце работ. — 0.45. |
| 63 |
|
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники: пер. с англ. А. В. Хачояна / Дж. М. Мартинес-Дуарт, Р. Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда. — М.: Техносфера, 2007. — 368 с.: ил. — (Мир материалов и технологий). — ISBN 978-5-94836-126-0: 238.00.
В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.
|
| 64 |
|
Фоторезистивные свойства аморфных и поликристаллических пленок широкоозонных полупроводников / В. Ю. Ибрагимов, В. М. Рубинов; АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. — Ташкент: Фан, 1991. — 139 с.: ил. — Библиогр.: с. 136-137. — ISBN 5-648-00717-5: 1.80.
|
| 65 |
|
Новые материалы для радио-, опто- и акустоэлектроники: межвуз. сб. / Красноярский государственный университет; редкол. : К. С. Александров (отв. ред.) [и др.]. — Красноярск: Красноярский государственный университет, 1982. — 157 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.30. |
| 66 |
|
Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй ; пер. с англ. Ю. А. Когцевого, Е. А. Митрофанова ; под ред. А. Г. Васильева. — М.: Техносфера, 2011. — 587 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Предм. указ.: с. 578-587. — Библиогр.: с. 561-577. — ISBN 978-5-94836-296-0: 1011.22.
Представленный в книге аналитический обзор охватывает свыше 1750 работ, посвященных III-N полупроводникам, которые применяются для создания транзисторов и радиоэлектронных устройств большой мощности, работающих в СВЧ диапазоне частот. Рассмотрены материалы, приборы, их технология, моделирование, проблемы надежности и применения. Книга представляет большой интерес для студентов, аспирантов, инженеров, разработчиков приборов и соответствующей аппаратуры.
|
| 67 |
|
Химия плазмы : сб. статей / под ред. Б. М. Смирнова. — М.; : Атомиздат.
:. — М.: Атомиздат, 1980. — 252 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10.
|
| 68 |
|
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
| 69 |
|
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Ю. Саркисов ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. И. Грибенюков; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 70 |
|
Эффект малых доз ионизирующего излучения: научное издание / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов; Томский политехнический университет (Томск). — 2-е изд., перераб. и доп. — Томск: Дельтаплан, 2009. — 288 с.: ил. — Изд. осуществлено при финансовой поддержке РФФИ по проекту №09-08-07078; В монографии используются и развиваются оригинальные результаты, полученные при выполнении работ по гранту РФФИ (проект 93-02-02118). — Библиогр.: с. 270-282. — ISBN 978-5-94154-153-9: 240.00.
Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.
|