| 131 |
|
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 132 |
|
Физико-химические методы анализа / Институт химии АН МССР. — Кишинев: Штиинца, 1971. — 123, [1] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 0.52. |
| 133 |
|
Электронная структура халькогенов. Сера, селен, теллур / В. В. Соболев, А. М. Широков ;под ред. Е. С. Ицкевича. — М.: Наука, 1988. — 223, [1] с. — Библиогр.: с. 205-218. — 3.20.
|
| 134 |
|
Вестник Новосибирского государственного университета [Текст] / Федеральное агенство по образованию, Новосибирский гос. ун-т. — 2006-. — Новосибирск: НГУ, 2006-. — Периодичность: 4 в год (ежеквартально). — Схема доступа: http://www-psb.ad-sbras.nsc.ru/vest_NGU.HTM. — ISSN 1818-7994. |
| 135 |
|
Международный семинар по оптоэлектронике, Санкт-Петербург, 5-6 нояб. 1998 г.: тез. докл. / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН, Каф. оптоэлектроники С.-Петерб. гос. электротехн. ун-та. — СПб., 1998. — 72 с.: ил. — 7.25.
|
| 136 |
|
Материалы электронной техники: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" / В. В. Пасынков. — М.: Высшая школа, 1980. — 406 с.: ил. — Алф. указ.: с. 403-406. — Библиогр.: с. 397. — 1.30.
|
| 137 |
|
Основы физики и техники полупроводников / Л. Л. Неменов, М. С. Соминский; Отделение общей физики и астрономии АН СССР. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1974. — 394, [2] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 1.83.
|
| 138 |
|
Введение в физику полупроводников / Ю. К. Шалабутов; Академия наук СССР. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1969. — 291, [1] с.: ил. — Библиогр.: с. 284-289. — 1.51.
|
| 139 |
|
Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: автореферат дис. ... / Г. А. Верозубова; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН (Томск). — Томск, 2005. — 20, [3] с.: ил. — На правах рукописи.
|
| 140 |
|
Физика за рубежом 1982: сб. ст. : пер. с англ. — М.: Мир, 1982. — 217 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.60. |