| 1 |
|
Легирование полупроводников: сб. статей / АН СССР, Институт металлургии им. А. А. Байкова; редкол. : Н. Х. Абрикосов (отв. ред.) [и др.]. — М.: Наука, 1982. — 278 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.40. |
| 2 |
|
Amorphous and polycrystalline thin-films silicon science and technology-2011: symp. held Apr. 25-29, 2011, San Francisco, California, U.S.A. / eds.: B. Yan [et al.]. — Cambridge; New York; Melbourne; Warrendale: Cambridge univ. press: MRS, 2012. — XVI,466 p.: ill.; 23 cm. — (Materials research society symposia proceedings / Materials research society (Warrendale)). — Bibliogr. at the end of the art. — Схема доступа: http://www.spsl.nsc.ru/Fulltext/CAT/13-09-17\amorphous.html. — ISBN 978-1-60511-298-5: 672.00. |
| 3 |
|
Фотоэлектрические явления / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман ; пер. с нем. А. Н. Темчина, под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. — М.: Мир, 1980. — 208 с.: ил. — Библиогр.: с. 199-206. — 0.80.
|
| 4 |
|
Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович. — СПб.: Наука, 1999. — 389 с.: ил. — ISBN 5-02-024859-2: 44.00.
|
| 5 |
|
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Рос. АН, Физико-технический ин-т им. А. А. Иоффе; Л. П. Казакова [и др.] ; отв. ред. К. Д. Цэндин. — СПб.: Наука, 1996. — 486 с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 469-472. — ISBN 5-02-024812-6: 31000.00. |
| 6 |
|
Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 7 |
|
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / под ред. К. А. Джексона, В. Шретера ; пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. — Воронеж; : Водолей.
: Электронная структура и свойства полупроводников. — Воронеж: Водолей, 2004. — 982 с.: ил. — Предм. указ.: с. 931-967. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-88563-041-0: 100.00.
|
| 8 |
|
Современные инжекционные лазеры: монография / А. Е. Жуков, М. В. Максимов; С.-Петерб. физ.-технол. науч.-образоват. центр РАН. — СПб.: Издательство Политехнического университета, 2009. — 275, [1] с.: ил.; 21 см. — ISBN 978-5-7422-2406-8: 462.00.
Систематизированы физические принципы функционирования и особенности приборных характеристик современных полупроводниковых лазеров, использующих в качестве активной области полупроводниковые наноструктуры — квантовые ямы и массивы квантовых точек, затронуты технологические аспекты изготовления подобных лазеров, обобщены основные экспериментальные результаты в этой области. Издание адресовано студентам магистратуры технических вузов и аспирантам научных специальностей, связанных с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами, гетероструктурами и приборами на их основе.
|
| 9 |
|
Полупроводники / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70.
|
| 10 |
|
Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами / В. М. Тучкевич, И. В. Грехов; АН СССР, Академические чтения. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1988. — 117 с.: ил. — Библиогр.: с. 112-115. — 0.40.
|