| 1 |
|
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / под ред. К. А. Джексона, В. Шретера ; пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. — Воронеж; : Водолей.
: Электронная структура и свойства полупроводников. — Воронеж: Водолей, 2004. — 982 с.: ил. — Предм. указ.: с. 931-967. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-88563-041-0: 100.00.
|
| 2 |
|
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Рос. АН, Физико-технический ин-т им. А. А. Иоффе; Л. П. Казакова [и др.] ; отв. ред. К. Д. Цэндин. — СПб.: Наука, 1996. — 486 с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 469-472. — ISBN 5-02-024812-6: 31000.00. |
| 3 |
|
Amorphous and polycrystalline thin-films silicon science and technology-2011: symp. held Apr. 25-29, 2011, San Francisco, California, U.S.A. / eds.: B. Yan [et al.]. — Cambridge; New York; Melbourne; Warrendale: Cambridge univ. press: MRS, 2012. — XVI,466 p.: ill.; 23 cm. — (Materials research society symposia proceedings / Materials research society (Warrendale)). — Bibliogr. at the end of the art. — Схема доступа: http://www.spsl.nsc.ru/Fulltext/CAT/13-09-17\amorphous.html. — ISBN 978-1-60511-298-5: 672.00. |
| 4 |
|
Кремний-2002: Совещ. по росту кристаллов, пленок, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г. : тез. докл. / Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (2002 ; Новосибирск). — Новосибирск: ИФП СО РАН, 2002. — 215 с.: ил. |
| 5 |
|
Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для вузов / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: МИСИС, 2003. — 480 с.: ил. — Предм. указ.: с. 475-480. — ISBN 5-87623-018-7: 745.00.
|
| 6 |
|
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия: сборник / под ред.: Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски, пер. с англ. К. В. Юдинцева, под ред.: В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. — Москва: Техносфера, 2011. — 383 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-293-9: 840.00.
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
|
| 7 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1981. — 155 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|
| 8 |
|
Фотоэлектрические явления / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман ; пер. с нем. А. Н. Темчина, под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. — М.: Мир, 1980. — 208 с.: ил. — Библиогр.: с. 199-206. — 0.80.
|
| 9 |
|
Полиморфные модификации углерода и нитрида бора: справочник / А. В. Курдюмов [и др.]. — М.: Металлургия, 1994. — 318 с.: ил. — - Библиогр.: с. 274-318. — ISBN 5-229-00872-5: 33.13.
Приведены сведения о кристаллической структуре полиморфных модификаций углерода и нитрида бора, особенностях их превращения под действием высоких давлений и температур. Представлены данные по электронной структуре, термодинамическим, теплофизическим, механическим, электрическим, магнитным и оптическим свойствам. Рассмотрены вопросы количественного рентгенофазового анализа этих модификаций, особенности их спектров электронного парамагнитного и ядреного магнитного резонансов. Для специалистов в области создания и использования конструкционных и инструментальных материалов на основе разных модификаций углерода и нитрида бора.
|
| 10 |
|
Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский. — М.: Наука, 1986. — 143 с.: ил. — (Проблемы науки и технического прогресса). — Библиогр.: с. 146. — 0.50.
|