| 1 |
|
Физические основы микротехнологии / И. Броудай, Д. Мерей ; пер. с англ. В. А. Володина [и др.], под ред. А. В. Шальнова. — М.: Мир, 1985. — 494 с.: ил. — Предм. указ.: с. 484-492. — Библиогр.: с. 465-483. — 2.60.
|
| 2 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [посвящ. 70-летию со дня рождения А. А. Орликовского] / Физико-технологический институт РАН; отв. ред. В. Ф. Лукичев. — М.: Наука, 2008. — 246, [1] с.: ил.; 24 см. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036641-1: 229.50.
Сборник посвящен актуальным проблемам математического моделирования субмикронных технологий и квантовых наноприборов. Основное внимание уделено наиболее важным проблемам, таким как фотолитография, травление и осаждение тонких пленок, электронная литография, надежность соединений и корпусов микросхем, квантовое поведение нанотранзисторов. Отдельно рассмотрены квантовые модели структур с пониженной размерностью, спиновых структур, методы квантовой обработки и передачи информации, в частности квантовой криптографии. Обсуждается возможность построения полномасштабного твердотельного квантового компьютера на ядерных спинах кремния. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 3 |
|
Проблемы субмикронной технологии / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома А. А. Орликовский. — М.: Наука, 1993. — 113 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-006991-4: 200.00. |
| 4 |
|
Субмикронные технологии / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома В. Н. Репин. — М.: Наука, 1995. — 79 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000831-1: 4600.00. |
| 5 |
|
Справочник по технологии микроэлектронных устройств / З. Ю. Готра. — Львов: Каменяр, 1986. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 284-285. — 1.00.
В справочнике приводятся данные о материалах, которые применяются при производстве микроэлектронных устройств, о способах очистки, механической, химической и электромеханической обработки. Рассмотрены вопросы диффузии, эпитаксии, выращивания монокристаллов полупроводников, вакуумного напыления, литографии и сборки в производстве микроэлектронных устройств. Для специалистов, работающих в области технологии микроэлектронных устройств, может быть полезен учащимся профтехучилищ соответствующего профиля.
|
| 6 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2005. — 414,[1] с.: ил.; 24 см. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-033950-4: 194.00. |
| 7 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2009. — 177 с.: ил. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036976-4: 292.50.
Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.
|
| 8 |
|
Технологические проблемы микроэлектроники / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. : Т. М. Махвиладзе, А. В. Раков. — М.: Наука, 1988. — 169 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров, 0233-9390). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000723-4: 2.60. |
| 9 |
|
Технология микроэлектронных устройств: Справочник / З. Ю. Готра ; рец. Ю. З. Бубнов. — М.: Радио и связь, 1991. — 528 с.: табл. — Библиогр.: с. 526. — ISBN 5-256-00699-1: 4.00.
Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектронных устройств. Для инженерно-технических работников, мастеров и квалифицированных рабочих, занимающихся производством МЭУ.
|
| 10 |
|
Плазменная технология в производстве СБИС / Д. Толливер [и др.] ; под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна ; пер. с англ. Ю. М. Золотарева, В. В. Юдина, под ред. Е. С. Машковой. — М.: Мир, 1987. — 469 с.: ил. — Предм. указ.: с. 109. — 3.40. |