Книга посвящена анализу, систематизации и обобщению результатов теоретических и экспериментальных работ российских и зарубежных исследователей, направленных на изучение процессов взаимодействия миллисекундных импульсов лазерного излучения ближнего инфракрасного диапазона спектра с основными классами материалов. Изложена физическая картина явлений взаимодействия лазерных импульсов с конденсированными средами. Приведены расчетно-теоретические модели, описывающие процессы взаимодействия лазерных импульсов с основными классами материалов, дан анализ их применимости. Рассмотрены условия перехода от тепловых режимов к плазменным. Поскольку миллисекундный импульс лазерного излучения часто состоит из серии микросекундных пичков, во время действия которых интенсивность излучения значительно превышает среднюю и может реализоваться плазменный режим воздействия, в данной книге среди других рассматриваются также вопросы воздействия микросекундных импульсов в плазменных режимах. Для специалистов в области квантовой оптики и лазерной физики, студентов, аспирантов и преподавателей физических факультетов государственных университетов и технических вузов.

Данная книга - первое наиболее полное изложение статистического метода коррелятивных функций условных распределений, предложенного для описания молекулярных конденсированных систем (твердое тело, жидкость, сильно сжатый газ). Идея метода состоит в том, чтобы описывать не состояния отдельных групп молекул, а отдельные состояния всей совокупности частиц. Развит принципиально новый способ замыкания бесконечной системы интегральных уравнений относительно потенциалов средних межмолекулярных сил. Показана эффективность разработанной итерационной процедуры решения замкнутой системы интегральных уравнений с помощью ЭВМ. На единой статистикомеханической основе описываются твердое и жидкое состояния и фазовые переходы кристалл - жидкость, жидкость - газ и кристалл - газ. Теория обобщается на многокомпанентные равновесные смеси, а также на неравновесные состояния.

Монография посвящена импульсной катодолюминесценции, возникающей на оптических переходах между кристаллическими зонами и локальными энергетическими уровнями, расположенными в запрещенной зоне конденсированных веществ. Эта люминесценция возбуждается в конденсированных средах при их облучении электронными пучками наносекундной длительности (1-10 нс) с плотностью пиковой мощности 10-100 МВт/см2. Приведены и обоснованы физические модели механизмов возмущения этой люминесценции. Показано, что при таких параметрах электронного пучка деструктивные процессы в веществе ещё слабы, но образуется высокая плотность электронно-дырочных пар, рекомбинация которых протекает преимущественно в излучательных процессах. В зоне проникновения электронов пучка в вещество возбуждение излучательных уровней центров люминесценции происходит в процессе квадратичной рекомбинации электронно-дырочных пар. Вне этой зоны возбуждение осуществляется за счет поглощения коротковолнового рекомбинационного излучения из облучаемой зоны. Показано, что импульсная катодолюминесценция отличается от других видов люминесценции повышенной яркостью и чувствительностью к примесям. Она возбуждается практически во всех неметаллических материалах. Приводится описание экспериментальной техники. На конкретных примерах продемонстрированы возможности спектрально-люминесцентного метода анализа вещества с использованием этого вида люминесценции. Книга представляет интерес для специалистов в области люминесценции неорганических и органических конденсированных сред, для геологов и минералогов, использующих люминесцентные методы, а также для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Книга посвящена проблеме фазовых переходов в конденсированных средах. Эта проблема имеет важное значение для исследований свойств широкого круга веществ (ферромагнетики и антиферромагнетики, сегнетоэлектрики, сверхпроводники, сплавы, жидкий гелий, разнообразные одно- и многокомпонентные жидкости), и при этом представляет большой научный интерес. В основу книги положены лекции, прочитанные автором, известным физиком-теоретиком, в Йельском университете (США).Описано современное состояние проблемы, имеющиеся теоретические представления, подробно излагаются приближенные методы расчета в трехмерной модели Изинга. Все результаты тщательно сравниваются с экспериментом. Особое внимание автор уделил магнитным переходам и критическим точкам однокомпонентных жидкостей.Книга написана на современном научном уровне и при этом достаточно просто: от читателя требуется знакомство со статистической физикой и физикой твердого тела в объеме курсов, читаемых в технических вузах.Книга рассчитана на научных работников, прежде всего физиков и физико-химиков, занимающихся изучением свойств твердых тел, жидкостей и растворов, математиков, исследующих общие вопросы задачи многих тел, инженеров, использующих фазовые переходы в различных веществах.

Рассматривается образование глубоких уровней при термообработке, облучении и введении примесных атомов в полупроводниках; обобщаются результаты изучения влияния глубоколежащих уровней на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства полупроводника; выясняются причины образования глубоколежащих уровней в запрещенной зоне полупроводника, заключающиеся в сложном взаимодействии дефектов кристаллической решетки с дефектами, образующимися при внешних воздействиях или с примесными атомами. Для научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов.