В книге, которая, по замыслу авторов, должна была стать одновременно и учебником, и монографией, даны основы современного промыслового и геофизического комплексного контроля разработки нефтяных и газовых месторождений, подробно рассмотрены вопросы теории, обработки и применения гидродинамических, геофизических и промыслово-технологических методов исследования эксплуатируемого фонда скважин, обоснованы методические критерии организации добывающими компаниями системы контроля разработки, приводится необходимая для планирования и комплексной интерпретации исследований справочная информация, представлены разработанные авторами технологии автоматизированного анализа и применения результатов системных скважинных исследований при создании цифровых динамических моделей залежей и подготовке проектных документов по разработке месторождений нефти и газа. Настоящая книга содержит четыре раздела, каждый из которых во многом раскрывает предмет учебных специальных курсов, читавшихся последние годы авторами на кафедре ГИС в РГУ нефти и газа им. Губкина И.М. для студентов по специализации промысловых и геофизических методов контроля разработки месторождений нефти и газа. Авторы надеются, что настоящая книга заинтересует широкий круг специалистов в области промысловых, гидродинамических и промыслово-геофизических исследований скважин, промысловых геологов и разработчиков, специалистов по геомоделированию и проектированию разработки месторождений нефти и газа.

Представлены результаты работ Института физики полупроводников СО РАН по исследованию структуры полупроводниковых систем при различных технологических воздействиях. Рассмотрены дислокационная структура полупроводниковых кристаллов и пленок, атомная структура скоплений точечных дефектов в кремнии и германии, процессы структурных перестроек на ступенчатых поверхностях кремния. Полученные данные используются при разработке технологии создания новых материалов и устройств микро-, опто- и наноэлектроники, микро- и наноструктур для исследования квантовых и одноэлектронных эффектов. Заключительный раздел книги посвящен изложению актуальных проблем развития полупроводниковых нанотехнологий на основе имеющихся достижений в методах молекулярно-лучевой эпитаксии, в создании структур кремний-на-изоляторе и в методах нанолитографии. Представляет интерес для специалистов по полупроводниковому материаловедению и полупроводниковой электронике — научных сотрудников, работников предприятий отрасли, студентов и аспирантов, обучающихся по соответствующим специальностям, в том числе по специальностям «Наноматериалы» и «Нанотехнологии в электронике».