| 1 |
|
Методы и устройства оптической голографии: сб. науч. тр. / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. — Л.: Физико-технический институт, 1983. — 232 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.36. |
| 2 |
|
Свойства светочувствительных материалов и их применение в голографии: сб. науч. тр. / АН СССР, Отд-ние общ. физики и астрономии, Науч. совет по пробл. "Голография"; отв. ред. В. А. Барачевский. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1987. — 136 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40. |
| 3 |
|
Физические основы и прикладные вопросы голографии: темат. сб. / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе; ред. : Г. В. Скроцкий [и др.]. — Л.: ФТИ, 1984. — 231 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 1.36. |
| 4 |
|
Взаимодействие когерентного и некогерентного излучения с веществом: сб. науч. тр. / Московский инженерно-физический институт; под ред. Ю. А. Быковского. — М.: МИФИ, 1988. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 0.60. |
| 5 |
|
Эллипсометрический метод в голографической интерферометрии / О. Г. Лисин; Институт физико-технических проблем Севера. — Якутск: Якутский филиал СО АН СССР, 1984. — 122 с.: ил. — Библиогр.: с. 112-114. — 1.13.
|
| 6 |
|
Голографическая и спекл-интерферометрия: Пер. с англ. / Р. Джоунс, К. Уайкс. — М.: Мир, 1986. — 328 с.: ил. — Библиогр.: с. 315-320. — 3.20.
|
| 7 |
|
Квантовая электроника / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1972. — 224 с.: ил. — 1.83.
|
| 8 |
|
Рассеяние и поглощение света в природных и искусственных дисперсных средах / АН БССР, Институт физики им. Б. И. Степанова; под ред. А. П. Иванова. — Минск: Институт физики АН БССР им. Б. И. Степанова, 1991. — 430 с.: ил. — Библиогр. в конце лекций. — ISBN 5-7815-0926-7: 10.69. |
| 9 |
|
Введение в фурье-оптику / И. Г. Стюард ; пер. с англ. Г. Д. Копелянского, В. И. Костенко, под ред. Л. И. Матвеенко. — Б.м.: Мир, 1985. — 182 с.: ил. — Библиогр.: с. 175-180. — 1.70.
|
| 10 |
|
Оптические постоянные и поверхностные слои: пер. с нем. / П. Друде ; отв. ред. К. К. Свиташев, Р. Р. Резвый, А. С. Мардежов; Рос. АН, Сиб. од-ние, Институт физики полупроводников. — . — 482 с.
|