Представлены результаты исследования и сравнительного анализа параметров и характеристик параметрических преобразователей частоты среднего ИК-диапазона на основе известных, малораспространенных LiInS2 и HgGa2S4, легированных GaSe:In и новых смешанных нелинейных кристаллов AgGA(1-x)InxSe2, AgGaGeS4 Hg(1-x) и CdxGa2S4. Описаны мобильные лидары-газоанализаторы, снабженные разработанными преобразователями частоты среднего ИК-диапазона, а также результаты мониторинга газовых загрязнений реальной атмосферы в полевых условиях и в условиях промышленных центров.

В сборнике помещены работы как теоретического характера по наиболее общим вопросам спектроскопических исследований (штарк-фононные резонансы в оптических спектрах глубоких примесных центров, магнитофононный резонанс, эффект Фарадея и нелинейные свойства поляронов), так и экспериментального плана, в которых на конкретных полупроводниковых материалах исследовались явления элекрон-дырочного взаимодействия и характеры оптических переходов при поглощении света. Обсуждается возможность использования спектров отражения в ИК-области спектра для определения параметров эпитаксиальных структур. С точки зрения теории особый интерес представляет вопрос об электрон-фононных взаимодействиях, приводящих к безызлучательным переходам в глубоких примесных центрах, и обнаруженное проявление электро-дырочного взаимодействия в кристаллах, содержащих большие концентрации собственных вакансий. Сборник предназначен для специалистов, занимающихся изучением физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых структурах, а также для аспирантов и студентов соответствующих специальностей.