| 1 |
|
Диэлектрики в наноэлектронике / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, рец.: В. Н. Овсюк, О. П. Пчеляков; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. — 257 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1081-5: 5.00.
Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.
|
| 2 |
|
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники: пер. с англ. А. В. Хачояна / Дж. М. Мартинес-Дуарт, Р. Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда. — М.: Техносфера, 2007. — 368 с.: ил. — (Мир материалов и технологий). — ISBN 978-5-94836-126-0: 238.00.
В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.
|
| 3 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1981. — 155 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|
| 4 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Издательство Львовского университета.
:. — Львов: Издательство Львовского университета, 1973. — 116 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.99.
|
| 5 |
|
Наноструктуры: физика, технология, применение: учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный ; рец.: О. В. Кибис, В. М. Шумский; НГТУ. — 2-е изд. — Новосибирск: НГТУ, 2010. — 356 с.: ил. — Утверждено редакционно-издательским советом университета в качестве учебного пособия; Работа подготовлена на каф. ПП и МЭ НГТУ. — Библиогр.: с. 347-351. — ISBN 978-5-7782-1288-6: 550.00.
Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видоеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы. Пособие предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области полупроводниковой нанотехнологии, микро- и наноэлектроники.
|
| 6 |
|
Amorphous and polycrystalline thin-films silicon science and technology-2011: symp. held Apr. 25-29, 2011, San Francisco, California, U.S.A. / eds.: B. Yan [et al.]. — Cambridge; New York; Melbourne; Warrendale: Cambridge univ. press: MRS, 2012. — XVI,466 p.: ill.; 23 cm. — (Materials research society symposia proceedings / Materials research society (Warrendale)). — Bibliogr. at the end of the art. — Схема доступа: http://www.spsl.nsc.ru/Fulltext/CAT/13-09-17\amorphous.html. — ISBN 978-1-60511-298-5: 672.00. |
| 7 |
|
Эффект малых доз ионизирующего излучения: научное издание / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов; Томский политехнический университет (Томск). — 2-е изд., перераб. и доп. — Томск: Дельтаплан, 2009. — 288 с.: ил. — Изд. осуществлено при финансовой поддержке РФФИ по проекту №09-08-07078; В монографии используются и развиваются оригинальные результаты, полученные при выполнении работ по гранту РФФИ (проект 93-02-02118). — Библиогр.: с. 270-282. — ISBN 978-5-94154-153-9: 240.00.
Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.
|
| 8 |
|
Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович. — СПб.: Наука, 1999. — 389 с.: ил. — ISBN 5-02-024859-2: 44.00.
|
| 9 |
|
Нанотехнологии в электронике : сборник / под ред. Ю. А. Чаплыгина. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2013. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-353-0: 975.00.
Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.
|
| 10 |
|
Радиационная стойкость кремния / Н. В. Кузнецов, Г. Г. Соловьев. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 95 с.: ил. — Библиогр.: с. 90-94. — ISBN 5-283-02923-9: 1.30.
|