Приведены характеристики существующей и перспективной ракетно-космической техник (РКТ) - космодромов, ракет-носителей, разгонных блоков, космических аппаратов и орбитальных станций. Определены главные факторы антропогенного воздействия РКТ на окружающую природную среду на всех этапах ее "жизненного" цикла - создание, эксплуатация, ликвидация (утилизация). Обобщены результаты исследований (экспериментальные и расчетные данные, теоретические модели) по всем типам воздействий РКТ на окружающую природную среду, начиная от поверхности Земли и кончая геостационарными орбитами. Специально отмечается ряд вопросов и проблем, требующих дальнейшего изучения.Для специалистов, связанных с разработкой, эксплуатацией и ликвидацией (утилизацией) РКТ, ученых и инженеров, занимающихся проблемами экологии окружающей природной среды, а также аспирантов, студентов и преподавателей технических и гуманитарных вузов по курсам "Инженерная экология", "Промышленная экология", "Концепции современного естествознания" и некоторым специальным дисциплинам.

Закономерности колебаний твердых тел являются основой для динамических расчеты и анализа движения, так как твердое тело служит расчетной моделью для многих машин, приборов, самолетов, космических аппаратов. В книге излагается теория колебаний твердых тел. Основное внимание уделяется нелинейным колебаниям в пространственном движении, поскольку актуальность этих вопросов возрастает с развитием авиационной и космической техники, скоростного наземного транспорта, навигационных приборов. Детально исследуются возможности и условия возникновения нелинейных резонансных колебаний. Анализируются периодические и почти-периодические режимы резонансных колебаний и их устойчивость. Книга рассчитана на научных работников, инженеров и студентов, занимающихся вопросами динамики механических систем в разнообразных областях техники.

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/Si02 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.