| 1 |
|
Дефекты в материалах квантовой электроники / З. Т. Азаматов [и др.] ; под ред. М. Т. Шпака; АН УзССР, Институт ядерной физики. — Ташкент: Фан, 1991. — 259 с.: ил. — Библиогр.: с. 238-257. — ISBN 5-648-00716-7: 3.80. |
| 2 |
|
Труды Института общей физики / Гл. ред. А. М. Прохоров.
:. — М.: Наука, 1986. — 152 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.20.
|
| 3 |
|
Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер ; отв. ред. И. Л. Шульпина. — СПб.: Наука, 2002. — 274 с.: 147 ил. — Парал. тит. лист англ. — Предм. указ.: с. 271-274. — Библиогр.: с. 269-270. — ISBN 5-02-024963-7.
|
| 4 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1980. — 163 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20.
|
| 5 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1980. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
|
| 6 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1979. — 166 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40.
|
| 7 |
|
Кремний-2002: Совещ. по росту кристаллов, пленок, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г. : тез. докл. / Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (2002 ; Новосибирск). — Новосибирск: ИФП СО РАН, 2002. — 215 с.: ил. |
| 8 |
|
Лазерные методы исследования дефектов в полупроводниках и диэлектриках / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома А.А. Маненков. — М.: Наука, 1986. — 153 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — Библиогр. в конце ст. — 2.20. |
| 9 |
|
Физико-химические аспекты технологии монокристаллов сложных оксидных соединений / Рос АН, Ин-т общей физики им. А. М. Прохорова; отв. ред. тома Ю. С. Кузьминов. — М.: Наука, 2008. — 126, [2] с.: ил.; 24 см. — (Труды Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН / гл. ред. И. А. Щербаков, 0233-9390). — На обл. загл. сер.: Труды ИОФАН. — Рез. ст. англ. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036936-8: 163.80. |
| 10 |
|
Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники: учебное пособие для вузов по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" / А. А. Барыбин, В. И. Томилин, В. И. Шаповалов; под общ. ред. А. А. Барыбина. — М.: Физматлит, 2011. — 782 с.: ил.; 23 см. — Предм. указ.: с. 773-782. — Библиогр.: с. 771-772. — ISBN 978-5-9221-1321-2: 752.40.
Книга посвящена основным физическим явлениям и закономерностям, лежащим в основе технологических методов и процессов современной электроники. Особое внимание уделено наноматериалам и перспективным направлениям нанотехнологии. Изложение построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления, как правило, без обращения к другой литературе. Для изучения отдельных вопросов в конце книги приведен список рекомендуемой литературы. Книга предназначена главным образом студентам как учебное пособие по физико-технологическим основам современной электроники в ее широком понимании, включающем макро-, микро- и нанотематику, но может оказаться полезной и специалистам в этих областях. Рекомендовано учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и наноэлектроника», 211000 «Конструирование и технология электронных средств», 222900 «Нанотехнологии и микросистемная техника».
|