71 |
|
Международный семинар по оптоэлектронике, Санкт-Петербург, 5-6 нояб. 1998 г.: тез. докл. / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН, Каф. оптоэлектроники С.-Петерб. гос. электротехн. ун-та. — СПб., 1998. — 72 с.: ил. — 7.25.
|
72 |
|
Полупроводниковая электроника в технике связи : сб. ст. / под. ред. И. Ф. Николаевского.
:. — М.: Радио и связь, 1984. — 224 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.75.
|
73 |
|
Физические процессы в приборах электронной и лазерной техники: межвед. сб. / Моск. физ.-техн. ин-т; ред. Б. В. Бондаренко. — М.: Московский физико-технический институт, 1987. — 136 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — Библиогр.: с. 133-136. — 0.50.
Материалы сборника отражают результаты научных исследований, ведущихся в МФТИ и базовых предприятиях института в области вакуумной и полупроводниковой электроники, охватывающей основные направления развития современной электроники и лазерной техники. Данный сборник полезен студентам и аспирантам, специализирующимся в области физической и квантовой электроники, а также специалистам, разрабатывающим приборы электронной и лазерной техники.
|
74 |
|
Физика твердотельных лазеров / В. В. Анциферов, Г. И. Смирнов. — Новосибирск: СГУПС, 1999. — 301 с.: ил. — Библиогр.: с. 277-300. — ISBN 5-230-12063-8: 50.00.
|
75 |
|
Введение в физику инжекционных лазеров: монография / П. Г. Елисеев. — М.: Наука, 1983. — 294 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-294. — 3.30.
Полупроводниковые инжекционные лазеры получают все более широкое практическое применение. Массовые масштабы имеет их использование в волоконо-оптических системах передачи информации. За последнее время к исследованиям и разработкам в области лазеров этого типа привлечено много новых специалистов. Резко возросло количество научных публикаций в периодической печати. В данной книге представлены и кратко обсуждены главные проблемы физики лазерных полупроводниковых устройств инжекционного типа. Экспериментальные данные включены, главным образом, в виде примеров к отдельным параграфам и таблиц. Учтены новейшие научные результаты, относящиеся к гетеролазерм на основе многокомпонентных (четверных) систем твердых растворов. Рассмотрены более подробно механизм излучательных переходов, механизм накачки, закономерности формирования спектра лазерного излучения, некоторые нелинейные оптические явления, характерные для инжекционных лазеров.
|
76 |
|
Надежность оптоэлектронных полупроводниковых приборов / В. А. Воротинский, Н. К. Дадерко, Л. П. Егоров. — М.: Радио и связь, 1983. — 136 с.: ил. — Библиогр.: с. 131-134. — 0.35.
|
77 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1989. — 99 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.00.
|
78 |
|
Приборы квантовой электроники. Характеристики, применение, тенденции развития / С. Г. Рябов, Г. Н. Торопкин, И. Ф. Усольцев ; под ред. М. Ф. Стельмаха. — М.: Советское радио, 1976. — 310 с.: ил. — Библиогр.: с. 297-308. — 1.08.
|
79 |
|
Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств кристаллов ниобата лития: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Ю. Рылова ; науч. рук. Р. К. Овсепян, офиц. оппоненты: Л. Н. Рашкович, Р. Б. Констанян; Институт физических исследований АН Армянской ССР (Аштарак), Научно-производственное объединение "Лазерная техника". — Аштарак, 1991. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
80 |
|
Формирование и контроль оптических волновых фронтов / АН СССР, Институт общей физики; отв. ред. тома П. П. Пашинин. — М.: Наука, 1987. — 148 с.: ил. — (Труды Института общей физики АН СССР / гл. ред. А. М. Прохоров). — Библиогр. в конце ст. — 2.40.
|