1 |
|
Представлено детальное описание метода теоретического расчета электрон-фононного рассеяния электронных и дырочных возбуждений на поверхности (110) благородных металлов. Метод основан на описании электронной структуры поверхности с помощью двумерного модельного псевдопотенциала.
|
2 |
|
|
3 |
|
С использованием GW-приближения, моделирующего собственную энергию квазичастиц произведением функции Грина и динамически экранированного кулоновского потенциала, рассчитана зависимость собственной ширины линии Г электронных и дырочных состояний, обусловленной неупругим рассеянием, от волнового вектора K как в занятом поверхностном состоянии, так и в первом состоянии потенциала изображения на поверхностях Cu(111)и Ag(111). Проанализированы различные вклады в затухание электронного и дырочного возбуждений. Показано, что для обеих поверхностей основным каналом для затухания дырок в занятых поверхностных состояниях является внутризонное рассеяние, а для электронов в состояниях потенциала изображения определяющими являются межзонные переходы. При росте К резкое уменьшение ширины линии дырочного состояния обусловлено уменьшением числа конечных состояний, тогда как рост Г состояния потенциала изображения в основном определяется увеличением его перекрывания с объемными состояниями.
|
4 |
|
Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках / В. Ф. Гантмахер, И. Б. Левинсон. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 1984. — 352 с.: ил. — 8.77.
|
5 |
|
Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галлоидных кристаллов / Э. Д. Алукер, Д. Ю. Лусис, С. А. Чернов ; АН Латвийской ССР, Ин-т физики. — Рига: Зинатне, 1979. — 252 с.: ил. — Предм. указ.: с. 244-248. — Библиогр.: с. 226-243. — 3.46.
|
6 |
|
Фотоэлектронная спектроскопия / А. Бейкер, Д. Беттеридж ; пер. с англ. М. М. Каханы, под ред. В. С. Урусова. — М.: Мир, 1975. — 196, [4] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце глав. — 0.94.
|
7 |
|
Достижения электронной теории металлов : в 2-х т. / под ред. П. Цише, Г. Леманна, пер. с нем. под ред. А. А. Абрикосова, Ю. Х. Векилова. — М.; : Мир.
:. — М.: Мир, 1984. — 281-646 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 4.10.
|
8 |
|
Диаграмматика. Лекции по избранным задачам теории конденсированного состояния: курс лекций / М. В. Садовский. — Изд. 2-е, испр. и доп. — Москва; Ижевск: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика": Ижевский ин-т компьютерных исследований, 2010. — 374 с.: ил. — Библиогр.: с. 375-376. — ISBN 978-5-93972-822-5: 120.10.
Цель настоящих лекций заключается в том, чтобы продемонстрировать, как метод диаграмм фейнмана применяется к решению конкретных задач современной теории конденсированного состояния. Выбор этих задач, а основном относящихся к теории электронных свойств металлов, обусловлен прежде всего их важностью - некоторые из них еще не решены "до конца". Поэтому, дальнейшее развитие излагаемых здесь подходов может стать предметом самостоятельного исследования. В большинстве случаев приводятся все детали вычислений и различных методических приемов, что делает книгу полезной как для грамотных специалистов, так и для начинающих теоретиков.
|
9 |
|
Люминесценция кристаллов с оксианионами и оксидных стекол при возбуждении импульсами потока электронов : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ф. Полисадова ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: А. И. Непомнящих, И. А. Вайнштейн, Т. С. Шамирзаев; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
|
10 |
|
Представлены результаты исследования структуры поверхностного слоя стали Гадфильда (Г13), образовавшегося в условиях сухого трения скольжения. Изучены особенности деформирования материала под поверхностью трения в зависимости от условий испытания - низкой скорости скольжения и малом давлении, значение которого много меньше предела текучести стали Г13. Методами оптической сканирующей и дифракционной электронной микроскопии исследован фазовый состав и дефектная субструктура на поверхности трения. Показано, что вблизи поверхности трения образуется тонкий, сильно деформированный слой нанокристаллического строения, переходящий в слой с поликристаллической структурой, содержащей двойники деформации и дислокации. Нанокристаллическая структура и присутствие оксидов в поверхностном слое и зоне трения свидетельствуют о высокой температуре и больших пластических деформациях, ответственных за формирование данного слоя. Сделано предположение о том, что деформирование материала, наблюдающееся на большой глубине от поверхности, обусловлен генерированием упругих волн при трении.
|