| 1131 |
|
Производство катализаторов крекинга и высокоактивных силикагелей / А. А. Давидянц, Н. И. Первушин. — М.: Химия, 1972. — 167, [1] с.: ил. — 0.40.
|
| 1132 |
|
Ориентировка длинной искры: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Е. А. Садыхова ; науч. рук.: И. С. Стекольников, Э. М. Базелян, офиц. оппоненты: В. В. Бургсдорф, Е. С. Колечицкий; Государственный научно-исследовательский энергетический институт им. Г. М. Кржижановского , Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина. — М., 1975. — 25 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25.
|
| 1133 |
|
Исследование путей повышения электрической прочности, энергоемкости бетэла и высоковольтных резисторов на его основе: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / В. А. Санталов ; науч. рук. М. С. Добжинский, офиц. оппоненты: А. Т. Чепиков, В. В. Лопатин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Сибирский научно-исследовательский институт энергетики (Новосибирск), Опытное производственно-техническое предприятие Энерготехпром (М.). — Томск, 1982. — 18 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18.
|
| 1134 |
|
Исследование возможности создания импульсного триода с автоэлектронным катодом на основе многоострийной системы нитевидных монокристаллов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.12.10 / В. М. Геннадьев ; науч. рук. П. В. Пошехонов, офиц. оппоненты: Г. Н. Шуппе, Ю. А. Быстров; Рязанский радиотехнический институт (Рязань). — Рязань, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 1135 |
|
Разработка и исследование комбинированного способа формирования пучка электронов в магнитном поле бетатрона для электронной дефектоскопии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.11 / Г. С. Голдаев ; рук. работы В. Е. Кононов, рук. работы В. А. Кочегуров, офиц. оппонент В. А. Москалев, офиц. оппонент М. Р. Александровский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт электронной интроскопии (Томск), Научно-исследовательский институт интроскопии (М.). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 1136 |
|
Исследование электрического поля молнии в земле и разработка метода раздельной регистрации наземных и межоблачных разрядов молнии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / В. П. Закарюкин ; науч. рук. А. Х. Филиппов, офиц. оппоненты: И. И. Каляцкий, Ю. В. Целебровский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Иркутский государственный университет им. А. А. Жданова (Иркутск), Иркутский политехнический институт (Иркутск), Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (Л.). — Томск, 1983. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 1137 |
|
Полупроводниковая схемотехника : [в 2 т.]: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. — М.; : Додэка-XXI.
:. — М.: Додэка-XXI, 2008. — 942 с.: ил. — Библиогр. в конце разд.; Предмет. указ. с. 934-941. — ISBN 3-540-42849-6. — ISBN 978-5-94120-200-3: 723.10.
Перевод 12-гоиздания широко известной книги Ульриха Титце и Кристофа Шенка (в 1982 г. изд-во "Мир" выпустило перевод 5-го изд. этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.). Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материала широко используются эквивалентных схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники ин научным работникам.
|
| 1138 |
|
Высокотемпературные сверхпроводники и мощные импульсные токи: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. Н. Паранин ; науч. рук.: Ю. А. Котов, В. В. Иванов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Екатеринбург, 1993. — 114 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 106-114.
|
| 1139 |
|
Высокотемпературные сверхпроводники и мощные импульсные токи: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. Н. Паранин ; науч. рук.: Ю. А. Котов, В. В. Иванов, офиц. оппоненты: А. В. Лучинский, О. Л. Хасанов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт физики металлов УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1993. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 1140 |
|
Теоретическое исследование процессов в единичном взрывоэмиссионном центре: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. Г. Парфенов ; науч. рук. Е. А. Литвинов; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1984. — 111 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 100-111.
|