31 |
|
Анализ особенностей электронной структуры, необходимых для формирования спектра структурных состояний в сплавах, указал на ряд закономерностей, присущих таким системам. Теоретически и экспериментально рассмотрены типы структурных состояний, которые могут реализоваться в условиях неустойчивости всей системы в целом или отдельной фазовой структурной составляющей.
|
32 |
|
Методами теории функционала электронной плотности (DFT) проведено систематическое изучение из первых принципов атомной и электронной структуры границ раздела между металлами с объемно-центрированной (ОЦК) и гранецентрированной (ГЦК) структурами и диоксидом циркония. Показано, что хорошие адгезионные свойства могут быть достигнуты на нестехиометрической полярной границе раздела Ме(001)/ZrO2(001) с ОЦК-металлами середины 4d-5d периодов (Mo, Ta, W, Nb). Зарядовый перенос от металла к оксидной подложке обусловливает сильную ионную природу химической связи на металлокерамических границах раздела. Проведя анализ структурных и электронных факторов, ответственных за понижение адгезии на разориентированных границах раздела. Показано, что уменьшение адгезии на неполярной стехнометрической границе раздела (110) связано с увеличением интерфейсного расстояния, а также с уменьшением числа связей металл-кислород. анализируется влияние легирования оксидами (СaO, MgO, и Y2O3), стабилизирующими диоксид циркония при низких температурах, на энергию адгезии на Ме(001)/ZrO2(001) интерфейсе.
|
33 |
|
Металловедение сплавов на основе цветных металлов: сборник научных трудов / Государственный научно-исследовательский проектный и конструкторский институт сплавово и обработки цветных металлов; отв. ред. М. И. Цыпин. — М.: Металлургия, 1983. — [97] с.: граф. — Библиогр. в конце ст. — 1.10.
Сборник объединяем статьи по результатам основных работ института в области металловедения цветных металлов и сплавов на их основе. Рассмотрены особенности формирования структуры и свойств материалов, полученных методом испарения и конденсации в вакууме. Представлены статьи, посвященные исследованию поведения стареющих сплавов при термической и термомеханической обработке и принципам выбора пружинных и дисперсноупрочненных материалов на основе меди, а также исследованию структуры и свойств сплавов на основе серебра и алюминия, применяемых для электрических контактов и эмиттеров вторичных электронов. Рассчитан на широкий круг научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области металловедения и использования сплавов на основе меди, серебра и алюминия.
|
34 |
|
Расчет физических свойств металлов и сплавов методом функционала электронной плотности: автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук / В. М. Кузнецов; Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова (Томск), Томский государственный университет (Томск), Московский государственный университет (М.). — Томск, 1979. — 20 с.: рис. — Библиогр.: с. 19-20.
|
35 |
|
Поверхностная энергия металлов и упорядоченных сплавов в рамках метода модельного функционала электронной плотности: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. С. Ким ; науч. рук. В. М. Кузнецов, оппоненты: К. П. Арефьев, М. П. Рузайкин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный архитектурно-строительный университет (Томск). — Томск, 1994. — 18 с.: табл. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
36 |
|
Достижения электронной теории металлов : в 2-х т. / под ред. П. Цише, Г. Леманна, пер. с нем. под ред. А. А. Абрикосова, Ю. Х. Векилова. — М.; : Мир.
:. — М.: Мир, 1984. — 281-646 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 4.10.
|
37 |
|
|
38 |
|
Термодинамические и динамические свойства металлов и сплавов в методе модельного функционала электронной плотности: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. И. Кадыров ; науч. рук.: В. М. Кузнецов, К. П. Зольников; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 1999. — 119 л.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 110-119.
|
39 |
|
Поверхностная энергия металлов и упорядоченных сплавов в рамках метода модельного функционала электронной плотности: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. С. Ким ; науч. рук. В. М. Кузнецов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 1994. — 99 л.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 85-99.
|
40 |
|
Нанотехнологии в электронике : сборник / под ред. Ю. А. Чаплыгина. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2013. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-353-0: 975.00.
Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.
|