| 51 |
|
Барьерная электрическая изоляция в высоковольтных изоляционных конструкциях: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / В. И. Чичикин ; науч. рук. Ю. П. Похолков, науч. конс. С. М. Лебедев, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, В. Ф. Важов; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — Томск, 2001. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
| 52 |
|
Диэлектрики в наноэлектронике / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, рец.: В. Н. Овсюк, О. П. Пчеляков; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. — 257 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1081-5: 5.00.
Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.
|
| 53 |
|
Получены первые результаты по разработке новых металлокермических материалов из диэлектриков и металлической связки при соотношении объемов компонентов в композитах 1:1. Проведены исследования поведения порошковых смесей при прессовании и спекании. Изучены микроструктуры композитов разных составов и зависимости их объемных изменений от температуры спекания.
|
| 54 |
|
Диэлектрические и механические свойства композиционных материалов на основе сополимеров винилиденфторида и пористого стекла: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. А. Караева ; науч. рук. Л. Н. Коротков, оппоненты: С. Н. Дрождин, В. И. Кудряш; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Московский гос. ин-т радиотехники, электроники и автоматики (ТУ). — Воронеж, 2010. — 18 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|
| 55 |
|
Радиационно-термическая активация диффузного массопереноса в оксидной керамике: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. А. Гынгазов; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-37.
|
| 56 |
|
Электрическая сверхчувствительность диэлектриков при сильном сжатии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Г. Фатеев ; оппоненты: В. С. Куксенко, В. Д. Селезнев, Н. Б. Волков; Институт прикладной механики УрО РАН, Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина (Троицк), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург). — Екатеринбург, 2004. — 39 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-39.
|
| 57 |
|
Молекулярная электроника и углеродные наноструктуры: [учеб. пособие для вузов по направлению подгот. 140400 "Техн. физика"] / И. Б. Захарова, Т. Л. Макарова ; рец.: В. А. Мошников, В. И. Ильин; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2008. — 122 с.: ил.; 20 см. — (Инновационная образовательная программа Санкт-Петербургского государственного политехнического университета / Федер. агентство по образованию) ; (Приоритетный национальный проект). — Приоритетный национальный проект "Образование". Инновационная образовательная программа СПб. гос. политехнического ун-та "Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России". — Библиогр.: с. 122. — ISBN 978-5-7422-2107-4: 280.50.
Обобщены результаты ведущихся в мире интенсивных исследований в области молекулярной электроники, рассмотрены основные физические свойства и электронное строение молекулярных материалов и углеродных наноструктур, основные принципы создания приборов молекулярной электроники. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям и специальностям в области техники и технологии при изучении дисциплин "Микроэлектроника", "Микро- и оптоэлектроника", "Наноэлектроника", "Физика полимеров и неупорядоченных диэлектриков", "Физика структур пониженной размерности", "Физика сенсорных материалов и устройств", и может быть также использовано аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники, материаловедения.
|
| 58 |
|
Нанотехнологии в электронике : сборник / под ред. Ю. А. Чаплыгина. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2013. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-353-0: 975.00.
Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.
|
| 59 |
|
|
| 60 |
|
Электрофотографический процесс / С. Г. Гренишин. — М.: Наука, 1970. — 373 с.: ил. — (Физико-математическая библиотека инженера). — Предм. указ.: с. 374-375. — Библиогр.: с. 357-373. — 1.50.
|