Разработка и исследование пучково-плазменных методов повышения эксплуатационных свойств изделий из металлических материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / К. Уемура; Нац. исслед. Том. политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 26 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Эрозия поверхности твердого тела под действием мощных пучков заряженных частиц: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. А. Блейхер; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-40.

Атомные механизмы и кинетика стеклования, гомогенной и ориентированной кристаллизации металлических систем: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Евтеев ; науч. конс. А. Т. Косилов, оппоненты: Б. М. Даринский, В. А. Хоник, В. Н. Санин; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (М.). — Воронеж, 2005. — 33 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-33.

Локальная атомная и электронная структура кристаллов и квазикристаллов системы Al-Cu-Fe и некоторых координационных соединений на основе меди: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. А. Брылева ; науч. рук. А. В. Солдатов, оппоненты: И. Я. Никифоров, В. А. Явна; ФГОУ ВПО "Южный федеральный университет", Воронежский государственный университет (Воронеж). — Ростов н/Д, 2012. — 26 с.: цв.ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Разработка ионно-пучковых методов модификации свойств алюминиевых сплавов на основе использования радиационно-динамических эффектов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. М. Можаровский ; науч. конс. В. В. Овчинников, оппоненты: Ю. П. Шаркеев, В. П. Кривобоков, А. В. Козлов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2011. — 39 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-39.

Закономерности формирования, структурные особенности и свойства покрытий на основе фосфатов кальция, полученных ВЧ-магнетронным осаждением : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. А. Сурменева ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты : А. В. Градобоев, Ю. Ф. Иванов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН. — Томск, 2012. — 20 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Рубанов ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. М. Зыков, А. П. Коханенко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2012. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Поляризационные явления в высокомолекулярных биокомпозитах в неоднородном температурном поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. Ю. Евсикова ; науч. рук. Н. Н. Матвеев, оппоненты: А. С. Сидоркин, Ю. Е. Калинин; Воронежская государственная лесотехническая академия (Воронеж), Воронежский государственный университет инженерных технологий (Воронеж), Воронежский государственный университет (Воронеж). — Воронеж, 2012. — 19 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Плазмохимический синтез наноразмерного диоксида кремния из тетраэтоксисилана, инициируемый импульсным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Г. Е. Холодная ; науч. рук. Р. В. Сазонов, офиц. оппоненты : Ю. М. Анненков, А. Н. Лапин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт физики высоких технологий, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН. — Томск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Осаждение поликристаллических алмазных пленок в аномальном тлеющем разряде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. А. Линник ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты Б. В. Спицын, Н. С. Сочугов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. — Томск, 2013. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.