Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.

Приведены сведения о кристаллической структуре полиморфных модификаций углерода и нитрида бора, особенностях их превращения под действием высоких давлений и температур. Представлены данные по электронной структуре, термодинамическим, теплофизическим, механическим, электрическим, магнитным и оптическим свойствам. Рассмотрены вопросы количественного рентгенофазового анализа этих модификаций, особенности их спектров электронного парамагнитного и ядреного магнитного резонансов. Для специалистов в области создания и использования конструкционных и инструментальных материалов на основе разных модификаций углерода и нитрида бора.

Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.

В сборнике помещены работы как теоретического характера по наиболее общим вопросам спектроскопических исследований (штарк-фононные резонансы в оптических спектрах глубоких примесных центров, магнитофононный резонанс, эффект Фарадея и нелинейные свойства поляронов), так и экспериментального плана, в которых на конкретных полупроводниковых материалах исследовались явления элекрон-дырочного взаимодействия и характеры оптических переходов при поглощении света. Обсуждается возможность использования спектров отражения в ИК-области спектра для определения параметров эпитаксиальных структур. С точки зрения теории особый интерес представляет вопрос об электрон-фононных взаимодействиях, приводящих к безызлучательным переходам в глубоких примесных центрах, и обнаруженное проявление электро-дырочного взаимодействия в кристаллах, содержащих большие концентрации собственных вакансий. Сборник предназначен для специалистов, занимающихся изучением физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых структурах, а также для аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Представленный в книге аналитический обзор охватывает свыше 1750 работ, посвященных III-N полупроводникам, которые применяются для создания транзисторов и радиоэлектронных устройств большой мощности, работающих в СВЧ диапазоне частот. Рассмотрены материалы, приборы, их технология, моделирование, проблемы надежности и применения. Книга представляет большой интерес для студентов, аспирантов, инженеров, разработчиков приборов и соответствующей аппаратуры.

Книга посвящена проблеме фазовых превращений в твердых телах при высоком давлении (ВД). Рассмотрены следующие вопросы: фазовые равновесия при ВД в элементах (углероде, кремнии, германии, титане, цирконии, железе, галлии, церии), в сплавах на основе железа; влияние деформации на фазовые превращения при ВД; кинетика и гистерезис высокотемпературных и низкотемпературных превращений при ВД; условия получения и сохранения фаз ВД. Для специалистов в области физики твердого тела, физического материаловедения, преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.