Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 1 - 10 из 12150 для dc.subject any/relevant "ПРОЕКТЫ ГРАНТЫ ... ( 0.249 сек.)

1
Мамонтов, Аркадий Павлович.
Эффект малых доз ионизирующего излучения: научное издание / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов; Томский политехнический университет (Томск). — 2-е изд., перераб. и доп. — Томск: Дельтаплан, 2009. — 288 с.: ил. — Изд. осуществлено при финансовой поддержке РФФИ по проекту №09-08-07078; В монографии используются и развиваются оригинальные результаты, полученные при выполнении работ по гранту РФФИ (проект 93-02-02118). — Библиогр.: с. 270-282. — ISBN 978-5-94154-153-9: 240.00.
Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
2
Слепушкин, Вячеслав Васильевич.
Локальный электрохимический анализ: научное издание / В. В. Слепушкин, Ю. В. Рублинецкая. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. — 312 с.: ил. — Изд. осуществлено при поддержке РФФИ по проекту 09-03-07028-д, 09-03-02001-э д. — Библиогр.: с. 287-308. — ISBN 978-5-9221-1251-2: 140.50.
Изложены теоретические основы и техника эксперимента локального электрохимического анализа (ЛЭА) поверхности твердофазных материалов. Рассмотрены области практического использования методов ЛЭА для исследования и анализа поверхности металлов и сплавов, порошковых и композиционных материалов, а также поверхности печатных плат. полупроводниковых и наноструктур. Подробно описаны методики контроля качества защитных покрытий (толщина, состав, пористость, наличие дефектов), контроля оксидных и солевых слоев на поверхности печатных плат, контроля концентрационных профилей эпитаксиальных слоев в полупроводниковых структурах, исследования наноструктур, исследования процессов диффузии в металлических покрытиях и коррозионных процессов на поверхности металлических структур. Для специалистов в области физики и химии твердого тела, технологии электрохимических производств, для сотрудников центральных заводских лабораторий предприятий машиностроения и приборостроения, а также дл аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3
Кузнецов, Николай Викторович.
Радиационная стойкость кремния / Н. В. Кузнецов, Г. Г. Соловьев. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 95 с.: ил. — Библиогр.: с. 90-94. — ISBN 5-283-02923-9: 1.30.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
4
Прудников, Евгений Леонидович.
Инструмент с алмазно-гальваническим покрытием: научное издание / Е. Л. Прудников ; рец. В. Ф. Романов. — М.: Машиностроение, 1985. — 96 с.: граф. — Библиогр.: с. 93-94. — 0.35.
Рассмотрены конструктивные особенности инструмента с алмазно-гальваническим покрытием и его типоразмеры, приведены данные о физико-механических и эксплуатационных свойствах этих покрытий. Указаны области применения алмазного инструмента на гальванической связке. Для инженерно-технических работников и мастеров инструментального производства.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
5
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия: сборник / под ред.: Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски, пер. с англ. К. В. Юдинцева, под ред.: В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. — Москва: Техносфера, 2011. — 383 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-293-9: 840.00.
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
6
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Издательство Львовского университета.
:. — Львов: Издательство Львовского университета, 1973. — 116 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.99.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
7
Готтштайн, Гюнтер.
Физико-химические основы материаловедения / Г. Готтштайн; пер. с англ. К. Н. Золотовой, Д. О. Чаркина под ред. В. П. Зломанова. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. — 400 с.: ил.; 25 см. — (Лучший зарубежный учебник). — Библиогр.: с. 375-383. — ISBN 978-5-94774-769-0: 356.40.
В учебном пособии, написанном известным специалистом из Германии, имеющим многолетнюю преподавательскую практику, изложены основы современного материаловедения. При этом в полной мере использованы фундаментальные понятия, представления и закономерности из других областей знаний - физики, химии, математики, а также кристаллографии и металлургии. Рассмотрены различные модели, в том числе на основе фазовых диаграмм и теории химической связи. Большое внимание уделено применению термодинамических подходов при изучении материалов. Подробно обсуждаются теория дефектов в кристаллических твердых телах, процессы кристаллизации и рекристаллизации, способы управления составом композиционных материалов, структурная организация в стеклах и полимерах. Книга очень хорошо иллюстрирована. Для студентов и аспирантов университетов, а также других вузов, готовящих специалистов в области наук о материалах.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
8
Физическое металловедение : в трех томах / под ред.: Р. У. Кана, П. Хаазена. — М.; : Металлургия.
: Физико-механические свойства металлов и сплавов / пер. с англ. под ред.: О. В. Абрамова, Ч. В. Копецкого, А. В. Серебрякова. — М.: Металлургия, 1987. — 663 с.: ил. — Предм. указ.: с. 648-654. — 6.40.
В третьем томе рассмотрено влияние дефектов структуры на механические свойства сплавов. Описаны виды точечных дефектов, условия их возникновения и аннигиляции, а также различные виды дислокаций, их зарождение, движение, взаимодействие друг с другом и точечными дефектами. Приведены способы деформаций и разрушения металлов и сплавов. Изложены сверхпроводящие свойства металлов и сплавов. Для научных работников, занятых в области физики металлов, металловедов, работников заводских лабораторий, а также преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов металлургических и машиностроительных институтов.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
9
Брудный, Валентин Натанович.
Радиационное дефектообразование в электрических полях. Арсенид галлия, фосфид индия / В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. П. Суржиков; Томский политехнический университет. — Новосибирск: Наука, 2001. — 136 с.: ил. — Библиогр.: с. 122-134. — ISBN 5-02-031919-8: 40.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
10
Смит, Роберт Аллан.
Полупроводники / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи