В сборнике представлены работы сотрудников лаборатории кристаллофизики Института физики СО АН СССР. Наряду с обзорными статьями по фазовым переходам типа смещения и оптическим свойствам диэлектриков вблизи фазовых превращений сборник содержит работы посвященные оригинальными исследованиям по кристаллохимии хлоридов типа АВХ, микроскопическим и макроскопическим свойствам сегнетоэлектриков и т. д.

Книга ученого из ФРГ содержит систематическое изложение актуальных вопросов динамики нелинейных систем, неравновесных фазовых переходов и возникновения детерминированного хаоса в приложении к физике полупроводников. Сделана попытка связать физику полупроводников с теорией линейных механических систем, далеких от термодинамического равновесия. Рассматриваются токовые пространственно-временные неустойчивости и структуры, автоколебания, проводится сравнение теории с результатами экспериментальных исследований синергетических явлений в полупроводниках. Для студентов, аспирантов и широкого круга физиков, интересующихся нелинейными явлениями в полупроводниках.

Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы лазерных переходов, используя материалы с различными свойствами, в том числе недоступные для инжекционных лазеров, обнаружить новые явления, создать мощные лазеры, конкурирующие с твердотельными. Рассмотрены известные соединения АШВ и AnBVI, а также новые трех- и четырехкомпонентные «идеальные» твердые растворы. В условиях интенсивного возбуждения обнаружено новое явление — атермический импульсный отжиг, в результате которого улучшаются объемные и поверхностные свойства активных сред. Описаны деградационные явления и спектрально-временные характеристики излучения с разрешением до 10~" с. Рассмотрены возможные физические модели этих явлений. Материалы монографии автор использует при чтении лекций в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Изложенный в книге материал ранее в других монографиях не обсуждался. Для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области квантовой электроники.

Цель настоящих лекций заключается в том, чтобы продемонстрировать, как метод диаграмм фейнмана применяется к решению конкретных задач современной теории конденсированного состояния. Выбор этих задач, а основном относящихся к теории электронных свойств металлов, обусловлен прежде всего их важностью - некоторые из них еще не решены "до конца". Поэтому, дальнейшее развитие излагаемых здесь подходов может стать предметом самостоятельного исследования. В большинстве случаев приводятся все детали вычислений и различных методических приемов, что делает книгу полезной как для грамотных специалистов, так и для начинающих теоретиков.