| 131 |
|
Нелинейное рассеяние лазерного излучения капельным аэрозолем: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук / Ю. Э. Гейнц. — Томск, 2003. — 39 с.
|
| 132 |
|
Лазерная обработка стекла / Г. А. Мачулка. — М.: Советское радио, 1979. — 136 с.: ил. — (Массовая библиотека инженера "Электроника"). — Библиогр.: с. 133-134. — 0.45.
|
| 133 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1985. — 108 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.60.
|
| 134 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1986. — 104 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
| 135 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1980. — 115 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
| 136 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1980. — 116 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
| 137 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1978. — 123 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.60.
|
| 138 |
|
Кинетическая теория лазеров / В. С. Машкевич. — Б.м.: Наука: Физматлит, 1971. — 472 с.: ил. — Предм. указ.: с. 470-472. — Библиогр.: с. 465-469. — 1.86.
В монографии последовательно и подробно рассмотрены основные принципы и многочисленные приложения кинетической теории лазеров. Формулируется феноменологическая теория квантовых диссипативных систем. Дается вывод кинетических уравнений для лазера и условий их применимости. Проводится общее рассмотрение стационарной генерации при квазиравновесном состоянии активной среды. Исследуются основные случаи нарушения квазиравновесия. На основе метода стационарных нормальных колебаний рассматривается ширина линии моды. Результаты общей теории прилагаются к системе люминесцирующих центров. Исследуется проблема устойчивости стационарного режима. Строится теория гигантских импульсов при активной модуляции добротности. Рассматривается генерация лазерного излучения на комбинационном рассеянии (вынужденное комбинационное рассеяние). Проводится исследование генерации на всех основных фотопереходах в полупроводниках. Исследуется роль экситонов в полупроводниковом лазере и генерация на различных непрямых экситонных переходах. Изучается влияние квантующего магнитного поля на генерацию в полупроводниках. Таблиц - 1, рисунков - 50, библиография - 171 название.
|
| 139 |
|
Элементарные процессы при лазерном возбуждении атомов / А. М. Прохоров, гл. ред. — М.: Наука, 1990. — 134 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.30. |
| 140 |
|
Действие лазерного излучения на поглощающие конденсированные среды / Под ред. А. М. Прохорова. — М.: Наука, 1988. — 120 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.20. |