41 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1983. — 108 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
42 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1981. — 116 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.60.
|
43 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1981. — 112 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.60.
|
44 |
|
Квантовая электроника : Респ. межвед. сб. / АН УССР, Институт полупроводников.
:. — Киев: Наукова думка, 1978. — 128 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.60.
|
45 |
|
Волноводы оптической связи / И. И. Теумин. — М.: Связь, 1978. — 168 с.: ил. — Библиогр.: с. 164-167. — 1.40.
|
46 |
|
Нелинейная оптика и молекулярное рассеяние света / Под ред. Н. Г. Басова. — М.: Наука, 1991. — 152 с.: ил. — Библиогр. в конце разд. — ISBN 5-02-000113-9: 3.00.
|
47 |
|
Экспериментальный анализ переходных процессов в линейных электрических цепях / И. И. Теумин. — М.: Советское радио, 1956. — 535 с.: ил. — Библиогр.: с. 532-533. — 14.90.
Книга представляет собой руководство по экспериментальному исследованию переходных процессов в различных электрических и радиоцепях применительно к разработке, наладке, корректировке и контролю аппаратуры и её узлов. Книга предназначается для инженерно-технических работников, а также для студентов вузов в качестве дополнительного пособия при изучении соответствующих курсов.
|
48 |
|
Оптика кристаллов и наноструктур: материалы международной научной конференции. — Хабаровск: ДВГУПС, 2008. — 199, [1] с.: ил.; 21 см. — (Приоритетные национальные проекты). — Библиогр. в конце докл. — ISBN 978-5-262-00423-2: 426.18.
В сборнике приведены актуальные и значительные научные результаты в области оптических анизотропных кристаллов и материалов со свойствами наноструктур. Материалы сборника предназначены для инженеров, научных сотрудников, докторантов, аспирантов и студентов старших курсов.
|
49 |
|
Оптика: пер. с нем. / П. Друде. — . — 464 с.
|
50 |
|
На примере нелинейно-оптического материала ZnGeP2 рассмотрены основные проблемы развития технологии получения оптических материалов для новых функциональных узлов в средствах и системах современного дистанционного мониторинга и представлены результаты исследований, выполненных лабораторией оптических кристаллов ИОМ СО РАН.Показано, что исследования причин оптических потерь в кристаллах ZnGeP2 и последовательное их устранение обеспечивают достаточно надежное получение монокристаллов с высоким оптическим качеством, позволяющим их эксплуатацию в условиях экстремальной интенсивности оптических пучков рабочего излучения.Дана краткая характеристика основных технологических и производственных возможностей лаборатории оптических кристаллов ИОМ СО РАН.
|