Изменение упругих свойств и внутреннего трения монокристаллов галогенидов щелочных металлов в зависимости от состава и воздействия облучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. Н. Гырбу ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, А. А. Ботаки, офиц. оппоненты: П. А. Савинцев, В. А. Кучин; Томский политехнический институт им С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт радиационной физики (Томск), Воронежский политехнический институт (Воронеж). — Томск, 1974. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.

Скорость хрупкого разрушения щелочногалоидных кристаллов под действием наносекундных импульсов облучения мощными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: В. М. Финкель, Б. В. Семкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН ЭССР (Тарту). — Томск, 1975. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.

Исследование процессов радиационностимулированного взаимного преобразования электронных центров окраски в кристаллах NgP2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Корепанов ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : Л. В. Григорук, М. А. Эланго; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Латвийский государственный университет. — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.

Микротрон с регулируемой энергией и исследование на его выведенном пучке плоскостного каналирования электронов в кристаллах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / В. И. Гриднев ; науч. рук. С. А. Воробьев, офиц. оппоненты: Б. А. Кононов, М. Н. Стриханов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Научно-исследовательский институт ядерной физики (М.). — Томск, 1987. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.

Спектральные, люминесцентные и генерационные свойства кристаллов иттрий-алюминиевого граната, содержащих ионы четырехвалентного хрома: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. Г. Охримчук ; науч. рук. А. В. Шестаков, офиц. оппоненты: Ю. К. Воронько, А. М. Ткачук; Институт общей физики АН СССР, Научно-исследовательский институт "Полюс", Институт радиоэлектроники АН СССР. — М., 1991. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Изменение свойств монокристаллов Si и Ge и приборов, изготовленных на их основе, под действием импульсов СВЧ поля : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Д. Е. Абдурахимов ; науч. рук.: Ф. Х. Хакимов, В. П. Калинушкин, офиц. оппоненты: Г. Н. Михайлова, И. С. Смирнов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 1992. — 11 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 9-11.

Лазеры на кристаллах LiF с центрами окраски и лазерная спектроскопия ионов Nd3+ в кристаллах CaF2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. В. Федоров ; науч. рук.: Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, офиц. оппоненты: А. А. Фомичев, В. А. Смирнов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Институт радиоэлектроники РАН (М.). — М., 1999. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-18.

Многофотонное возбуждение и рекомбинация неравновесных носителей заряда в широкозонных кристаллах при воздействии пикосекундных лазерных импульсов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / С. В. Гарнов ; офиц. оппоненты: М. Я. Щелев, М. Н. Либенсон, В. Н. Стрекалов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт спектроскопии РАН (Троицк). — М., 2001. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-33.