| 21 |
|
Субмикронные технологии / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома В. Н. Репин. — М.: Наука, 1995. — 79 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000831-1: 4600.00. |
| 22 |
|
Петербургский журнал электроники / Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт"; Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт". — 1993-. — СПб.: Электронстандарт, 1993-. — Периодичность: 4 в год (ежеквартально). |
| 23 |
|
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / В. Г. Дубровский. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009. — 350 с.: ил. — (Фундаментальная и прикладная физика). — Библиогр.: с. 338-350. — ISBN 978-5-9221-1069-3: 280.00.
В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур. Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III—V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте. Для студентов, бакалавров и аспирантов, специализирующихся в области физики, материаловедения и некоторых других технических дисциплин, а также для ученых и инженеров, желающих глубже понять теоретические основы современной физики и технологии наноструктур.
|
| 24 |
|
Физика наноразмерных структур. Формирование наноразмерных областей в стеклообразных материалах: учеб. пособие для вузов по направлению подгот. 140400 "Техн. физика" / Т. В. Бочарова [и др.] ; рец.: Ю. А. Быстров, С. А. Немов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2008. — 125 с.: граф.; 20 см. — (Инновационная образовательная программа Санкт-Петербургского государственного политехнического университета / Федер. агентство по образованию) ; (Приоритетные национальные проекты). — Приоритетный национальный проект "Образование". Инновационная образовательная программа СПб. гос. политехнического ун-та "Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России". — Библиогр.: с. 125. — ISBN 978-5-7422-1802-9: 279.40.
Пособие соответствует гос. образовательному стандарту направления подготовки 140400 "Техническая физика" и содержанию учебной программы дисциплины ОПД.Ф.03 "Материаловедение и технология конструкционных материалов". Содержит сведения по физическим основам формирования микронеоднородных областей в стекле вследствие протекания сегрегационых явлений активатора на основе обобщения результатов ведущихся в мире интенсивных исследований в области стеклообразного состояния вещества и композитных структур на основе стекол. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 140400 "Техническая физика" при изучении дисциплин "Материаловедение и технология конструкционных материалов" и "Физика некристаллических твердых тел". Может быть использовано для подготовки студентов по направления "Электроника и микроэлектроника", а также аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники.
|
| 25 |
|
Микроэлектронные устройства для обработки непрерывной информации / Р. Р. Бабаян; Рос. АН, Ин-т проблем управления им. В. А. Трапезникова. — М.: Наука, 2003. — 207 с. — Библиогр.: с. 202-205. — ISBN 5-02-006527-7: 80.00.
В книге рассматривается элементная база для обработки непрерывной информации: операционные усилители, умножители аналоговых сигналов, компараторы и преобразователи напряжения в частоту. Основное внимание уделено получению максимально возможных характеристик таких устройств по точности и быстродействию. Для специалистов в области проектирования подобных устройств, инженеров и научных сотрудников-микросхемотехников, а также студентов.
|
| 26 |
|
Проблемы субмикронной технологии / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома А. А. Орликовский. — М.: Наука, 1993. — 113 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-006991-4: 200.00. |
| 27 |
|
Введение в криогенную микроэлектронику / Б. Н. Формозов. — СПб.: Наука, 2001. — 327 с.: ил. — Библиогр.: с. 322-327. — ISBN 5-02-024961-0: 126.50.
|
| 28 |
|
Технология тонких пленок : справочник : в 2-х т. / под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. — М.; : Советское радио.
:. — М.: Советское радио, 1977. — 664 с.: ил. — 4.02.
|
| 29 |
|
Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие / Г. И. Зебрев. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. — 240 с.: ил. — (Нанотехнологии). — Библиогр.: с. 224-232. — ISBN 978-5-9963-0181-2: 200.00.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов. специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов "Физические основы наноэлектроники", "Наноэлектронные технологии", "Физика микроэлектронных структур".
|
| 30 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1978. — 110 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10.
|