| 91 |
|
Кинетика образования и структуры твердых слоев / Л. Н. Александров ; отв. ред. А. В. Ржанов; Институт физики полупроводников СО АН СССР. — Новосибирск: Наука, 1972. — 226, [2] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 212-225. — 1.34.
|
| 92 |
|
Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сб. материалов II Всесоюз. конф. / АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт физики полупроводников; отв. ред. А. В. Ржанов. — Новосибирск: Наука, 1983. — 179, [1] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 3.00. |
| 93 |
|
Физика на переломе тысячелетий. Физические основы нанотехнологий: учеб. для вузов по техн. направ. подготовки и естественно-научным специальностям / В. К. Воронов, А. В. Подоплелов, Р. З. Сагдеев. — М.: URSS, 2010. — 429 с.: ил. — ISBN 978-5-397-01660-5: 385.50.
В настоящем учебнике излагаются физические основы нанотехнологий. Книга cocтoит из трех относительно самостоятельных частей. Первая часть посвящена рассмотрению физических явлений и описывающих их законов и положений, относящихся к плазменному состоянию вещества. Также изучается еще один раздел, имеющий принципиальное значение для создания нанотехнологий, — область физики, связанная с конденсированным состоянием вещества в наномасштабных областях пространства. Имеются в виду наноструктуры как таковые, а также входящие в состав макрообразцов, прежде всего у поверхности твердых тел. Основополагающие идеи, относящиеся к физике микро- и наномира материальных тел, находящихся в твердом и жидком состояниях, нашли отражение во второй части учебника. В третьей части излагаются новые теоретические и экспериментальные методы исследования многоэлектронных систем. В написании учебника широко использовался материал обзорных статей, опубликованных в журнале «Успехи физических наук». Книга предназначена для студентов старших курсов, обучающихся по направлениям, готовящим инженерно-технических работников промышленных производств, а также научных сотрудников для научно-исследовательских организаций. Она может использоваться и для других специальностей естественно-научного и технического направления обучения в вузах, где читаются курсы, связанные с физическими явлениями материального мира нано- и микромасштабов; будет также полезна преподавателям соответствующих дисциплин и всем, кто увлекается физикой и интересуется ее современным состоянием.
|
| 94 |
|
Введение в физику поверхности: переводное издание / К. Оура [и др.]. ; ред. В. И. Сергиенко; Дальневосточное отд-ние РАН, Ин-т автоматики и процессов управления. — М.: Наука, 2006. — 490 с.: ил. — Предм. указ.: с. 482-490. — Библиогр.: с. 464-481. — ISBN 5-02-034355-2: 212.00.
Книга посвящена физике поверхности. Она дает необходимую вводную информацию для исследователей, которые только начинают работать в данной области. Книга содержит все наиболее важные аспекты современной науки о поверхности от экспериментальной базы и основ кристаллографии до современных аналитических методов и их использования в изучении тонких пленок и наноструктур. Для специалистов в области физики поверхности, аспирантов, студентов старших курсов инженерных и физических специальностей.
|
| 95 |
|
Эффекты скейлинга в структурно-фазовой самоорганизации на интерфейсе "тонкая пленка - подложка" [Текст] : научное издание / В. Е. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Физическая мезомеханика. — 2007. — Т. 10, № 3 . — С. 9-21.
|
| 96 |
|
Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. А. Соловьев ; науч. рук. Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты : Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт электрофизики УрО РАН. — Томск, 2007. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 97 |
|
Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 98 |
|
Влияние структурных дефектов на электронные свойства поверхности и границ раздела в сплавах Гейслера: научное издание / С. С. Кульков [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // Физическая мезомеханика. — 2006. — Том9, NСпец. вып. . — С. 33-36. — ISSN 1029-9599. Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры сплавов Гейслера Co2MnGa(Si) и Ni2MnGa, а также их тонких пленок на полупроводниковых подложках. Анализируется влияние структурных дефектов на электронную структуру и магнитные свойства в объеме, на поверхности и границах раздела.
|
| 99 |
|
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического тока: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. К. Келбиханов ; науч. рук. Г. А. Абдурагимов, офиц. оппоненты: Н. М. Богатов, Р. А. Рабаданов; Дагестанский государственный педагогический университет (Махачкала). — Нижний Новгород, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.
|
| 100 |
|
|