| 1361 |
|
Малоапертурные импульсно-периодические электроразрядные лазеры с плазменными электродами и высокой частотой повторения импульсов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01 / В. П. Захаров ; офиц.оппоненты: А. С. Бирюков, В. А. Катулин, В. В. Котляр; Самарское государственное научно-производственное объединение автоматических систем (Самара), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Самара). — Самара, 1998. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-32.
|
| 1362 |
|
Получение наноструктурных керамик с использованием магнито-импульсного прессования порошков: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13, 01.04.14 / В. В. Иванов ; офиц. оппоненты: В. П. Скрипов, Г. Г. Талуц, В. Ф. Петрунин; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Объединенный институт высоких температур РАН (М.), Научно-исследовательский центр теплофизики импульсных воздействий (М.). — Екатеринбург, 1998. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-40.
|
| 1363 |
|
Progress in Nonlinear Science: abstracts. — Nizhny Novgorod: University of Nizhny Novgorod, 2001. — 351 с.: ил. — Авт. указ.: с. 345-351.
|
| 1364 |
|
XIV Симпозиум по горению и взрыву: тез. докл. — Электрон. текстовые дан. — Черноголовка, 2008. — 330 с.: граф. + 1o=эл. опт. диск (CD-ROM). — Библиогр. в конце докл. — ISBN 978-5-901675-83-0.
|
| 1365 |
|
Химическая физика процессов горения и взрыва. — Черноголовка, 2000. — 217 с.: граф. — Библиогр. в конце докл. — ISBN 5-201-10405-3.
|
| 1366 |
|
Химическая физика процессов горения и взрыва. — Черноголовка, 2000. — 255 с.: табл. — Библиогр. в конце докл. — ISBN 5-201-10405-3.
|
| 1367 |
|
Химическая физика процессов горения и взрыва. — Черноголовка, 2000. — 168 с.: ил. — Библиогр. в конце докл. — ISBN 5-201-10405-3.
|
| 1368 |
|
Объектно-ориентированная система статистического моделирования переноса высокоэнергетических частиц для задач модернизации теватрона и его детекторов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / О. Э. Кривошеев ; науч. рук.: А. М. Кольчужкин, Н. В. Мохов, офиц. оппоненты: М. М. Никитин, В. В. Рыжов; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Алтайский государственный университет (Барнаул). — Томск, 1998. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 1369 |
|
Синтез кластерных структур резонансным лазерным излучением при восстановлении ионов золота в растворе: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. Б. Крынецкий ; науч. рук.: А. А. Рухадзе, С. С. Фадеева, офиц. оппоненты: А. И. Попов, С. С. Алимпиев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт спектроскопии РАН (Троицк). — М., 1998. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 1370 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|