| 11 |
|
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия: сборник / под ред.: Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски, пер. с англ. К. В. Юдинцева, под ред.: В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. — Москва: Техносфера, 2011. — 383 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-293-9: 840.00.
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
|
| 12 |
|
Модификация анодных окисных пленок для фотодиодов на монокристаллическом арсениде индия: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / П. В. Митасов ; науч. рук. И. Б. Варлашов, офиц. оппоненты: И. Д. Бурлаков, Н. В. Вишняков; Нац. исслед. ун-т "МЭИ", МИРЭА - Российский технологический ун-т. — М., 2018. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 13 |
|
Исследование физико-химических свойств малоактивируемых сплавов на основе системы ванадий - галлий для ядерной энергетики: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. В. Боровицкая ; науч. рук.: Г. Г. Бондаренко, Ю. М. Платова, оппоненты: В. М. Чернов, Н. В. Волков; Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (М.), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (М.). — М., 2006. — 25 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.
|
| 14 |
|
Пространственно-временной резонанс и взаимодействие электромагнитных и акустических волн в тонких пленках: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Харланов ; науч. конс. А. Г. Шеин, офиц. оппоненты: В. Б. Байбурин, Г. Ф. Заргано, Л. В. Черкесова; Волгоградский гос. техн. ун-т, Крымский федеральный ун-т им. В. И. Вернадского (Симферополь). — Волгоград, 2019. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 33-35.
|
| 15 |
|
Влияние кристаллогеометрических характеристик на закономерности фрагментации и локализации сдвиговой деформации в монокристаллах алюминия при сжатии: автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук / И. В. Беспалова ; научный руководитель Л. А. Теплякова, оппоненты: Е. Е. Дерюгин, Г. П. Бакач; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный архитектурно-строительный университет (Томск), Тольяттинский гос. ун-т. — Томск: Изд-во ТГАСУ, 2008. — 17 с.: рис. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 16 |
|
Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
| 17 |
|
Исследование атомных структур силленитов и развитие методики уточнения строения монокристаллов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.18 / С. Ф. Радаев ; науч. рук.: В. И. Симонов, Л. А. Мурадян, офиц. оппоненты: Р. П. Шибаева, Л. А. Асланов; Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова АН СССР (М.), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1989. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 18 |
|
Изменение свойств монокристаллов Si и Ge и приборов, изготовленных на их основе, под действием импульсов СВЧ поля : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Д. Е. Абдурахимов ; науч. рук.: Ф. Х. Хакимов, В. П. Калинушкин, офиц. оппоненты: Г. Н. Михайлова, И. С. Смирнов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 1992. — 11 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 9-11.
|
| 19 |
|
Закономерности и механизмы механического двойникования в монокристаллах В2 фазы никелида титана: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. В. Евтушенко ; научный руководитель А. Н. Тюменцев, оппонент Л. Л. Мейснер, оппонент Ю. Ф. Иванов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Томский государственный архитектурно-строительный университет (Томск). — Томск, 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18.
|
| 20 |
|
Влияние внешних упругих нагрузок на кинетику развития микроструктуры монокристаллов дисперсионно-твердеющих сплавов на основе никеля: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.01 / Н. В. Старостина ; научный руководитель Ю. С. Ткаченко, оппонент В. Н. Гадалов, оппонент В. М. Рощупкин; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Воронежский государственный университет (Воронеж). — Курск, 2008. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|