| 1 |
|
Эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия: автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук / А. А. Руденко; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Воронежский государственный университет (Воронеж). — Воронеж, 2007. — 16 с.: рис. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 2 |
|
Предлагается метод микролегирования приповерхностных слоев полупроводников ионами водорода с использованием плазменно-пучкового разряда. Проведенный эксперимент на арсениде галлия показал, что данный метод является эффективным по сравнению с известными способами модифицирования приповерхностных слоев.
|
| 3 |
|
Физико-химическое изучение системы галий-бром и галий-йод: автореферат дис. ... канд. хим. наук : 02.00.01 / В. Н. Кулюкин ; науч. рук. Е. С. Петров, офиц. оппоненты: П. И. Федоров, Г. А. Коковин; Новосибирский Оловокомбинат. — Новосибирск, 1971. — 15 с. — На правах рукописи.
|
| 4 |
|
Взаимодействие кислорода с арсенидом галлия: автореферат дис. ... канд. хим. наук : 02.00.01 / С. Н. Эйхе ; науч. рук. К. Е. Миронов, офиц. оппоненты: В. В. Серебренников, В. Е. Федоров; Институт неорганической химии, Институт физики полупроводников. — Новосибирск, 1971. — 23 с. — На правах рукописи.
|
| 5 |
|
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 6 |
|
Кинетика начальной стадии роста эпитаксиальных слоев фосфида галлия из растворов фосфора в расплаве галлия: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. А. Шуников ; науч. рук. Ю. П. Хухрянский, оппоненты: Д. С. Сайко, А. Р. Лютиков; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Воронежский государственный университет (Воронеж). — Воронеж, 2005. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 7 |
|
Радиационно-физические процессы и ядерное легирование нитрида галлия: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Корулин ; науч. рук. Н. Г. Колин, оппоненты: В. Т. Бублик, Ю. Я. Томашпольский; Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" , Томский государственный университет (Томск). — М., 2011. — 22 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.
|
| 8 |
|
Арсенид галлия. Получение, свойства и применение / Под ред. Ф. П. Кесаманлы и Д. Н. Наследова. — М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1973. — 471, [1] с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 431-471. — 2.37. |
| 9 |
|
Ферромагнитный резонанс в монокристаллах гексаферритов: автореферат дис. ... / А. А. Ошлаков; Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2001. — 19, [1] с.: ил. — На правах рукописи.
|
| 10 |
|
Арсенид галлия в микроэлектронике / У. Уиссмен [и др.] ; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича. — М.: Мир, 1988. — 555 с.: ил. — Предм.-именн. указ.: с. 548-552. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-000130-1: 4.90. |