В работе рассмотрены закономерности деформации и разрушения на мезоуровне материалов с покрытиями при различных схемах нагружения, полученные с применением оптико-телевизионного измерительного комплекса TOMSC. Показано, что зарождение в покрытии (поверхностном упрочненном слое) трещин и фрагментированной мезоструктуры в объеме материала подложки происходит около базового концентратора напряжений у головки образца и развивается вдоль образца как нелинейный волновой процесс. Его характер существенно зависит от геометрии границы раздела «покрытие (упрочненный поверхностный слой) – подложка». Сформулирован качественный критерий усталостного предразрушения при знакопеременном циклическом изгибе. Показано, что при циклическом нагружении композиции с более твердым покрытием определяющую роль играют возникновение зон концентрации напряжений и локализация деформации на границе раздела «покрытие – основа». Сформулированы рекомендации по оптимизации режимов формирования покрытий.

Предложена модель изотермического отжига материала с двухслойным покрытием с учетом взаимовлияния процессов диффузии и деформирования. Даны оценки концентрационных напряжений в диффузионной зоне в процессе отжига. Показано, что учет влияния напряжений на массоперенос может иметь принципиальное значение для формирования распределения концентраций.

Изучен процесс формирования структуры покрытия при электронно-лучевой наплавке. В качестве наплавочного материала использовали порошковые смеси Cu-Cr и Р6М5 + TiC. Показано, что за счет образования сильно перегретой области в зоне действия электронного луча происходит плавление либо растворение в жидкой ванне всех компонентов порошковой смеси присадочного материала. Быстрая кристаллизация расплава обеспечивает образование сильно пересыщенного твердого раствора. Старение наплавленных покрытий приводит к образованию мультимодального распределения частиц упрочняющей фазы в объеме наплавленного слоя.??.

В работе приводятся конструкция и исследования двухпучкового газового ионного источника серии «Планар», предназначенного для использования в вакуумно-плазменных напылительных системах. В основе конструкции ионного источника положен принцип работы ускорителя с замкнутым дрейфом электронов и узкой зоной ускорения (УЗДУ). Эмиссионная поверхность источника представляет собой узкую непрерывную щель, вытянутую в длину, образуя два протяженных пучка ионов. Длина пучков варьируется от 100 до 2300 мм в зависимости от применения источника. Источник обеспечивает энергию ионов до 8 кэВ и плотность тока до 1 мA/см2. Приводятся параметры источника.

Исследованы покрытия из эвтектического хромистого чугуна легированного ванадием. Основной объем покрытий имеет квазиэвтектическую структуру с аустенитной матрицей и карбидами(C, Fe, V)7C3 и V2C. В результате многослойной электронно-лучевой наплавки от границы раздела с подложкой формируется переходный слой из доэвтектического чугуна.