| 61 |
|
Эффект дальнодействия в металлах при ионной имплантации: научное издание / Ю. П. Шаркеев [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Металлы : науч.-техн. журн. — 1998. — N1 . — С. 109-115. — ISSN 0869-5733. Рассмотрены основные особенности эффекта дальнодействия в металлах и сплавах при ионной имплантации. В качестве иллюстративного материала приведены результаты электронно-микроскопического исследования дислокационных структур, формирующихся в меди при высокодозовой ионной имплантации. Величина эффекта дальнодействия определяется микроструктурой исходного состояния мишени и структурно-фазовым состоянием, формирующимся в легируемом поверхностном слое. Предложена математическая модель формирования дефектной структуры в подслое, находящемся непосредственно под легируемым поверхностным слоем облучаемой мишени. Результаты проведенных на основе предлагаемой модели вычислений соответствуют экспериментальным данным.
|
| 62 |
|
Комплексное модифицирование сталей и покрытий TiN в плазме дуговых разрядов низкого давления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.01, 05.27.02 / И. М. Гончаренко ; науч. рук.: А. Д. Коротаев, Н. Н. Коваль, оппоненты: А. В. Колубаев, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), Уфимский государственный авиационный технический университет (Уфа). — Томск, 2004. — 18 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 63 |
|
Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук.: С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 173 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 163-172.
|
| 64 |
|
Генерация широкоапертурных пучков газовых и металлических ионов в источнике на основе контрагированного разряда и вакуумной дуги: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Г. Ю. Юшков ; науч. рук.: П. М. Щанин, Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1993. — 160 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 142-157.
|
| 65 |
|
Источники широкоапертурных пучков ионов газов и металлов на основе дугового и тлеющего разрядов при пониженном давлении: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Г. Ю. Юшков ; науч. конс. Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 343 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 320-343.
|
| 66 |
|
|
| 67 |
|
|
| 68 |
|
Представлены результаты электронно-микроскопического исследования дислокационной структуры, формирующейся в ионно-имплантированной крупнозернистой меди. Установлено, что величина "эффекта дальнодействия" существенно зависит от характера фазообразования в легированном слое. Данные об изменении микроструктуры по глубине коррелируют с результатами измерения микротвердости, полученными на тех же самых образцах.
|
| 69 |
|
Исследовано влияние облучения ионами N+, Ar+(40кэВ) и ионами Mn (45 кэВ) на механические свойства, морфологию поверхности и состав поверхностных слоев углеродистой стали Ст3сп. Обнаружено сглаживание рельефа поверхности и немонотонное изменение микротвердости и усталостной прочности стали в зависимости от типа ионов и дозы облучения.
|
| 70 |
|
Структура и свойства сплавов бериллия: справочник / И. И. Папиров. — М.: Энергоиздат, 1981. — 368 с.: граф. — Библиогр.: с. 321-365. — 1.70.
Рассмотрены физические основы легирования бериллия. Обобщены и систематизированы данные о структуре двойных соединений. Описаны пластическая деформация и механические характеристики сплавов и соединений, а также их термодинамические, диффузионные, сверхпроводящие, электронные и магнитные свойства. Дана анализ 82 бинарных систем бериллия; при этом особое внимание уделено диаграммам состояния, структуре и свойствам соединений, свойствам сплавов, патентам и авторским свидетельствам на составы, способы получения и обработку сплавов. Для физиков, металловедов, технологов и металлургов, специализирующихся в области реакторного материаловедения и приборостроения.
|