101 |
|
Исследование и разработка коммутирующих конденсаторов для статистических тиристорных преобразователей: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / П. О. Хачатрян ; науч. рук. Ю. С. Чатинян, офиц. оппоненты: Г. С. Кучинский, М. М. Морозов; Всесоюзный научно-исследовательский институт комплексного электрооборудования (Ереван), НИИ ГИРИКОНД ЛНПО "Позитрон", Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина. — Ереван, 1978. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21.
|
102 |
|
Развитие методов и аппаратуры электронно-оптической фотографии для диагностики рентгеновского излучения и ионного состава лазерной плазмы: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. К. Чевокин ; офиц. оппоненты: Н. Г. Ковальский, И. А. Щербаков, А. С. Шиканов; Институт общей физики СССР, Институт высоких температур АН СССР. — М., 1990. — 43 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.
|
103 |
|
Микродозовый рентгенотелевизионный интроскоп на основе мозаичного газоразрядного преобразователя для контроля крупногабаритных грузов и человека: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.11.13 / Ю. В. Алхимов ; науч. рук. В. К. Кулешов, офиц. оппонент: В. Н. Ланшаков, В. Н. Руденко; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт интроскопии (Томск), Томский научно-исследовательский институт "Проект" (Томск). — Томск, 1993. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
104 |
|
Термоэмиссионные преобразователи и низкотемпературная плазма / Ф. Г. Бакшт [и др.] ; под ред. Б. Я. Мойжеса, Г. Е. Пикуса. — М.: Наука. Физматлит, 1973. — 480 с.: ил. — Библиогр.: с. 467-480. — 2.99.
|
105 |
|
Имитатор батареи солнечной для наземной обработки и испытаний систем электропитания космических аппаратов на основе импульсных преобразователей: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.12 / Ю. А. Кремзуков ; науч. рук. В. Н. Мишин, оппоненты: А. М. Семиглазов, К. Г. Гордеев; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), НИИ автоматики и электромеханики, ОАО "Информационные спутниковые системы им. акад. М. Ф. Решетнева" (Железногорск). — Томск, 2011. — 28 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-28.
|
106 |
|
Аморфные и поликристаллические полупроводники / В. Хейванг [и др.] ; под ред. В. Хейванга, пер. с нем. М. В. Акуленок, под ред. Ю. Д. Чистякова. — М.: Мир, 1987. — 160 с.: ил. — Предм.-Имен.: с. 157-158. — Библиогр.: с. 148-156. — 1.60.
|
107 |
|
Проектирование систем цифровой и смешанной обработки сигналов: переводное издание / У. Кестер [и др.]; ред. ориг. изд. У. Кестер; пер. с англ. под ред. А. А. Власенко. — Москва: Техносфера, 2011. — 326 с.: рис. — (Мир электроники). — Авт. указаны в начале гл. — На корешке авт.: У. Кестер. — Библиогр. в конце гл. — ISBN 0-916550-23-0 (англ.). — ISBN 978-5-94836-243-4: 522.50.
|
108 |
|
Исследованы особенности электронной и спиновой структуры тройного топологического изолятора Bi2Te2.4Se0.6, характеризующегося высокоэффективными термоэлектрическими свойствами, с использованием фотоэлектронной спектроскопии с угловым и спиновым разрешением, в сравнении с теоретическими расчетами, проведенными в рамках теории функционала плотности. Показано, что уровень Ферми для Bi2Te2.4Se0.6 располагается в энергетической запрещенной зоне и пересекает топологическое поверхностное состояние (конус Дирака). Теоретические расчеты электронной структуры поверхности демонстрируют, что характер распределения атомов Se на подрешетке Те—Se фактически не влияет на вид дисперсии поверхностного топологического электронного состояния. Спиновая структура этого состояния характеризуется геликоидальной спиновой поляризацией. Исследования поверхности Bi2Te2.4Se0.6 методом сканирующей туннельной микроскопии выявили атомарную гладкость поверхности образца, сколотого в условиях сверхвысокого вакуума, с величиной постоянной решетки ~4.23А. Показана стабильность дираковского конуса соединения Bi2Te2.4Se0.6 к напылению монослоя Pt на поверхность.
|
109 |
|
The effect of thermal aging on the strength and the thermoelectric power of the Ti-6AL-4V alloy: научное издание / H. Carreon [et al.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Физическая мезомеханика. — 2017. — Том20, N4 . — С. 11-19. — ISSN 1029-9599.
When the Ti-6Al-4V alloy is overaged at 500-600 °C, nanometer-sized alfa2 (Ti3Al) particles can be homogeneously precipitated inside alfa phases, thereby leading to strength improvement. Widmanstatten and equiaxed microstructures containing fine alfa2 (Ti3Al) particles were obtained by overaging the Ti-6A1-4V alloy. Precipitation of alfa2 (Ti3Al) particles was monitored using thermoelectric power measurements for different aging conditions in the Ti-6A1-4V alloy. Overaging heat treatments were conducted at 515, 545 and 575 °C for different aging times. In addition, overaging samples were examined by optical microscopy, scanning electron microscopy and hardness measurements. It was found that the thermoelectric power is very sensitive to the aging process in the two studied Ti-6Al-4V structures.Перестаривание сплава Ti-6Al-4V при 500-600 °C обеспечивает однородное осаждение наночастиц альфа2 (Ti3Al) внутри альфа-фаз, что приводит к повышению прочности. Видманштеттовы и равноосные микроструктуры, содержащие мелкие частицы aльфа2 (Ti3Al), были получены путем перестаривания сплава Ti-6Al-4V. Осаждение частиц альфа2 (Ti3Al) отслеживали с помощью измерений термоЭДС для различных условий старения в сплаве Ti-6Al-4V. Перестаривание проводили путем термической обработки при температуре 515, 545 и 575 °С для различного времени старения. Перестаренные образцы исследовали методами оптической микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и методом измерения твердости. Обнаружена высокая чувствительность термоЭДС к процессу старения в двух исследованных структурах Ti-6Al-4V.
|
110 |
|
Микроэлектронные устройства для обработки непрерывной информации / Р. Р. Бабаян; Рос. АН, Ин-т проблем управления им. В. А. Трапезникова. — М.: Наука, 2003. — 207 с. — Библиогр.: с. 202-205. — ISBN 5-02-006527-7: 80.00.
В книге рассматривается элементная база для обработки непрерывной информации: операционные усилители, умножители аналоговых сигналов, компараторы и преобразователи напряжения в частоту. Основное внимание уделено получению максимально возможных характеристик таких устройств по точности и быстродействию. Для специалистов в области проектирования подобных устройств, инженеров и научных сотрудников-микросхемотехников, а также студентов.
|