| 121 |
|
В мире магнитных доменов / В. Г. Барьяхтар ; отв. ред. В. И. Воронцов. — Киев: Наукова думка, 1986. — 159 с.: ил. — (Научно-популярная литература). — Библиогр.: с. 157. — 0.30.
|
| 122 |
|
Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики / С. Г. Боев, В. Я. Ушаков. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 238 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-236. — ISBN 5-283-03969-2: 3.20.
|
| 123 |
|
Физика твердого тела: избр. тр. / А. А. Галкин ; отв. ред. В. Г. Барьяхтар; АН УССР, Донецкий физико-технический институт. — Киев: Наукова думка, 1986. — 244 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10.
|
| 124 |
|
Физика полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для студ. вузов обуч. по спец. "Полупроводнки и диэлектрики" / П. Т. Орешкин. — М.: Высшая школа, 1977. — 448 с.: ил. — Библиогр.: с. 445-446. — 1.04.
|
| 125 |
|
Эффект каналирования / В. А. Рябов. — М.: Энергоатомиздат, 1994. — 240 с.: ил. — Библиогр.: с. 235-239. — ISBN 5-283-03889-0: 16000.00.
|
| 126 |
|
Процессы переключения в нелинейных кристаллах / В. М. Рудяк. — М.: Наука, 1986. — 243 с.: ил. — Библиогр.: с. 229-242. — 3.00.
|
| 127 |
|
Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова Думка, 1983. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-261. — 3.30.
|
| 128 |
|
Теория и свойства неупорядоченных материалов: сб. ст. / пер. с англ. под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. — М.: Мир, 1977. — 294 с.: ил. — (Новости физики твердого тела). — Библиогр.: с. 289-292. — 1.90. |
| 129 |
|
Физика процессов у границ раздела: сб. науч. тр. / Ленинградский политех. ин-т им. М. И. Калинина; редкол. : Ю. С. Васильев (отв. ред.) [и др.]. — Л.: ЛПИ, 1985. — 108 с.: ил. — (Труды Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина). — Библиогр. в конце ст. — 2.31. |
| 130 |
|
Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах / Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1983. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 296-302. — Библиогр.: с. 270-292. — 3.60.
|