Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.