Защитно-упрочняющие электрофизические покрытия машиностроительных материалов с комбинированной обработкой для повышения их долговечности и качества: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.01 / В. В. Самойлов ; науч. рук. В. Н. Гадалов, оппоненты А. С. Борсяков, Л. Н. Серебровская; Юго-Западный государственный университет, каф. материаловедения и сварочного производства, Тверской государственный технический университет (Тверь). — Курск, 2011. — 15 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.

Получение, структура и свойства керамических соединений системы SrTiO3-BiScO3: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. П. Даньшина ; науч. рук. О. Н. Иванов, оппоненты: В. Ю. Тополов, А. П. Кузьменко; Белгородский государственный национальный исследовательский университет (Белгород), Тверской государственный университет (Тверь). — Белгород, 2011. — 19 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Разработка и исследование керамик на основе нанопорошков оксидов алюминия, циркония и церия: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.16.06 / В. Р. Хрустов ; науч. рук. В. В. Иванов, офиц. оппоненты : М. И. Алымов, С. И. Бредихин; Институт электрофизики УрО РАН, Институт химии твердого тела УрО РАН, Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова. — Екатеринбург, 2010. — 25 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-25.

Синтез, строение и физикохимические свойства углеродных материалов на основе полихлорвиниленов: автореферат дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / В. С. Солодовниченко ; науч. рук. Ю. Г. Кряжев, оф. оппоненты А. М. Волощук, Л. Н. Котова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), химический факультет. — Омск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: 9 источников.

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.