Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 21 - 25 из 1245 для dc.subject any/relevant "Наноэлектроника ... ( 0.219 сек.)

21
Бочаров, Лев Николаевич.
Полевые транзисторы / Л. Н. Бочаров. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1984. — 80 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека). — Библиогр.: с. 79. — 0.50.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
22
Бирюков, Сергей Алексеевич.
Радиолюбительские цифровые устройства / С. А. Бирюков. — М.: Радио и связь, 1982. — 73 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека). — Библиогр.: с. 72. — 0.45.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
23
Ногин, В. Н.
Аналоговые электронные устройства: [Учеб.пособие] / В. Н. Ногин. — М.: Радио и связь, 1992. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 295-296. — 15.87.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
24
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2005. — 414,[1] с.: ил.; 24 см. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-033950-4: 194.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
25
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2009. — 177 с.: ил. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036976-4: 292.50.
Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи