Обобщены современные схемотехнические решения функциональных узлов импульсных транзисторных преобразователей постоянного напряжения, используемых в источниках вторичного электропитания (ИВЭП) радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются структурные схемы ИВЭП на основе транзисторных преобразователей, в том числе и бестрансформаторные с питанием от сети, различные виды силовых каскадов, устройства электрической изоляции, схемы сравнения, схемы повышения помехоустойчивости и защиты. Описываются новейшие разработки советских и зарубежных специалистов. Для инженерно-технических работников и радиолюбителей.

В книге изложены принципы управления транзисторными преобразователями электрической энергии при их работе в различных импульсных режимах. Приведены схемотехнические решения и показаны особенности работы преобразователей, широко применяемых в различных системах электропитания. Показаны последние достижения в данной области техники, позволяющие управлять преобразователями с помощью как аналоговых, так и цифровых средств.

В сборник включены доклады специалистов из российских организаций, активно работающих в области электротехники, в том числе, в области электрических машин и преобразовательной техники; в области космических исследований, в частности по наблюдению за космическим мусором; в области разработки космической техники, в том числе, проектирования малых космических аппаратов и ряда основных систем и узлов космических аппаратов.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.

Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.

В обзоре М. П. Кузнецовой рассмотрена модель "частично-плавного канала" полевого транзистора с затвором Шоттки и с p-n переходом в качестве затвора. В рамках этой модели проведен расчет крутизны, емкости затвора и граничной частоты полевого транзистора, созданного на основе материалов InP и InGaAs. Полученные результаты сравниваются с приведенными в литературе значениями этих параметров для полевых транзистров на основе GaAs. Рассмотрено влияние поверхностного заряда на границе канал-подложка на характеристики полевого транзистора. Приведены результаты численного расчета характеристик полевых транзистров.В обзоре В. Д. Шадрина рассмотрены физические основы мехинзма преобразования излучения диодом с барьером Шоттки, а также вытекающие из них пороговые характеристики отдельного фотоприемника. Анализируются особенности применения фотодиодов с барьером Шоттки в многоэлементных матрицах с накоплением, в частности, влияние геометрического фактора шума на общий шум матрицы. С физической точки зрения обсуждаются основные фотоэлектрические и пороговые характеристики как фотодиодов, так и многоэлементных матриц, среди них - эквивалентная шуму разность температур. Приводятся типичные параметры ИК приемных устройств на матрицах Шоттки - диодов.

В обзоре рассмотрена зависимость минимальной обнаруживаемой мощности фотоприемного устройства от различных характеристик системы. Отмечены основные характеристики, особенно сильно влияющие на чувствительность системы с лавинным фотодиодом (ЛФД) и системы с pin-фотодиодом и полевым транзистором (pin FET). Проведено сравнение минимальной обнаруживаемой мощности этих двух систем при различных скоростях передачи информации. Показано, что системы pin FET не будут уступать по чувствительности на высоких скоростях передачи информации системам ЛФД на основе InP/InGaAs (с разделенными областями лавинного умножения и фотогенерации) только при очень низких входных емкостях (~0,1 пФ). Рассмотрены основные виды современных ЛФД на основе различных материалов, в том числе ЛФД на сверхрешетках. Рассмотрены основные виды полевых транзисторов, в том числе полевые транзисторы, функционирование которых основано на эффекте двумерного электронного газа. Из приведенных данных следует, что наиболее быстродействующими и низкошумящими будут ЛФД на сверхрешетках и полевые транзисторы с двумерным электронным газом.

Рассмотрены принципы действия, типовые характеристики и области рационального применения силовых электронных приборов, а также особенности применения в силовой электронике пассивных элементов — трансформаторов, реакторов и конденсаторов. В доступной форме даны методы анализа схем и управления устройствами силовой электроники, описаны принципы действия и способы управления всех типов преобразователей, а также статических компенсаторов мощности и активных фильтров. Подробно изложены методы широтно-импульсной модуляции на основе преобразования трехфазных импульсных систем в двухфазные. Приведены рекомендации по эксплуатации устройств силовой электроники и обеспечению их электромагнитной совместимости. Для студентов электротехнических специальностей, а также специалистов различного уровня профессиональной подготовки в области силовой электроники.

В книге рассмотрены теория усилителей мощности на лампах и транзисторах и принципы построения схем каскадов высокой частоты в разных диапазонах. Развита теория режимов, генераторов, систем модуляции, фильтрации гармоник, автогенераторов, стабилизации частоты диапазонных возбудителей и других вопросов на основе современных достижений в области теории и техники радиопередающих устройств. Излагаются вопросы, относящиеся к телевизионным передатчикам, радиорелейной и космической связи. Книга рассчитана на студентов вузов связи, а также может быть полезной для радиоинженеров.

Для специалиста в области электронной техники термин «силовая электроника» ассоциируется в первую очередь с источниками питания, схемами управления различными исполнительными механизмами с мощностью, не превышающей нескольких киловатт. В этой книге рассмотрены особенности оборудования с мощностями, измеряемыми в МЕГАВАТТАХ! Эта книга по сути краткая энциклопедия современной силовой электроники. В первых главах книги приведен интереснейший исторический обзор развития электротехники, описаны основные компоненты электрических систем. Далее рассмотрены некоторые методы расчетов, основы теории управления системами с обратной связью, переходные процессы в электрических цепях. Большое внимание уделено трансформаторам и электрическим машинам — от принципов работы до особенностей конструкций и систем охлаждения. Весьма подробно описаны выпрямители (в том числе многофазные), IGBT, тиристоры и схемы их применения, рассмотрены вопросы параллельного и последовательного включения тиристоров. В отдельных главах рассмотрены особенности импульсных режимов работы трансформаторов и тиристоров, вопросы, связанные с возбуждением гармоник в сетях электропитания и коэффициентом мощности, а также с процессами передачи тепла и охлаждения полупроводниковых приборов. Последняя глава касается применения силовой электроники. В ней описано множество уникальных устройств — от передатчика системы связи с подводными лодками и операционного усилителя с мощностью 600 кВт до разнообразных источников питания электродуговых печей, индукционных нагревателей и генераторов озона. В приложениях представлена разнообразная полезная информация — от нормирования параметров конденсаторов, применяемых для коррекции коэффициента мощности, до свойств водных растворов гликоля. Эта книга будет полезна инженерам и техникам, разработчикам и конструкторам, работающим в сфере силовой электроники, а также студентам, изучающим различные аспекты силовой электроники.

Этот двухтомник одновременно выходит и в России, и в Германии. Предлагаемый вниманию читателей справочник охватывает около 54 тыс. типов биполярных, 8 тыс. полевых и более тысячи типов IGBT транзисторов. В нем приведены их основные электрические параметрам (Рс, Pd, Uce, Ic, Ft и др.). Транзисторы расположены в справочнике в алфавитно-цифровом порядке. В приложениях приведены условные рисунки корпусов с соответствующей цоколевкой транзисторов, список фирм-производителей транзисторов, SMD-коды для маркировки транзисторов в миниатюрных (SMD) корпусах, а также список аналогов (замен) транзисторов. Справочник предназначен для специалистов в области наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.

В настоящей книге представлена копия докторской диссертации автора, защищенной в 1966 году в Томском политехническом институте. В этой диссертации описаны первые эксперименты, которые привели к открытию взрывной электронной эмиссии с катода. Дано описание явления интенсивной эмиссии электронов из тройных точек металл-диэлектрик-вакуум. Дано описание открытого автором явления многоэлектронного инициирования разряда в газах высокого давления, которое позднее было использовано для накачки мощных газовых лазеров. Одним из важнейших итогов этих исследований является также создание новых направлений в технической физике - сильноточной электроники и импульсной электрофизики. В рамках этих направлений созданы генераторы мощных наносекундных импульсов электрической энергии, предложены новые устройства, активные элементы импульсных генераторов (коммутаторы, обострители, вентили и т. д.) на основе новых явлений, открытых автором при создании вакуумных, газоразрядных и магнитных приборов. Хотя ряд исследований этой диссертации был опубликован в статьях и книгах автора, многие разделы актуальны до сих пор. Книга будет полезна тем, кто занимается проблемами физики плазмы, газового и вакуумного разрядов, ускорительной техникой, техникой высоких напряжений, лазерной техникой, СВЧ-электроникой большой мощности и т. д.